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龙图腾网获悉东南大学申请的专利制备高质量半导体电极接触的设备及其金属原子沉积方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116377391B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310424226.3，技术领域涉及：C23C14/22；该发明授权制备高质量半导体电极接触的设备及其金属原子沉积方法是由万能;陈若望;田明;王明渊;束俊鹏;施辉;谭淋丰设计研发完成，并于2023-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本制备高质量半导体电极接触的设备及其金属原子沉积方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种制备高质量半导体电极接触的设备及其金属原子沉积方法，所述的半导体电极接触的设备包括在真空腔体7中的控温单元3、热界面黏附层4、衬底5、沉积源6、进气口1、出气口2；将氩气通过进气口管道引入真空腔体中，氩气流动经过衬底位置，从出气口排出；控温单元控制衬底温度在更低的温度区间，利用氩气分子缓冲降低金属原子沉积至样品前的动能，控温单元使衬底附近氩气分子和沉积金属原子迅速降温，从而达到金属原子在半导体材料晶格上软着陆，本发明具有较低的样品温度，使得沉积的金属颗粒过冷细化，更易沉积形成平整的金属薄膜，获得堆叠更紧密的金属‑半导体界面。

本发明授权制备高质量半导体电极接触的设备及其金属原子沉积方法在权利要求书中公布了：1.一种制备高质量半导体电极接触的设备，其特征在于，所述的半导体电极接触的设备，在真空腔体（7）中的下部设有控温单元（3），在控温单元（3）上面设有热界面黏附层（4），在热界面黏附层（4）上面设有衬底（5），在真空腔体（7）中的上部设有沉积源（6），在真空腔体（7）中部的一侧设有进气口（1），在真空腔体（7）中部的另一侧设有出气口（2）； 所述的真空腔体（7）中部的衬底（5）上方设有表面冷却装置（31）；所述的表面冷却装置（31）包括致冷部分（311），冷却剂引入管道（312），蒸发粒子的通道（313），其中，致冷部分（311）为格栅状，其一端接有冷却剂引入管道（312），格栅之间为蒸发粒子的通道（313）； 所述的控温单元（3）包括温控台（32），液氮循环管进口（321），液氮循环管出口（322），在77-500K温度范围内设定温度，通过控制加热功率自动调节至设定温度； 所述的热界面黏附层（4）由高导热、低热膨胀系数、热稳定性良好材料制成； 所述的衬底（5）为具体样品，大小由实际需求和热界面黏附层大小确定；所述的沉积源（6）是预沉积的金属材料； 所述的真空腔体（7）由不锈钢或者石英玻璃制成，一侧是进气口，另一侧是出气口，出气口位置略高于衬底，进气口位置高于出气口。

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