西安交通大学刘明获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种自偏置的d36模式磁电传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116592919B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310551494.1，技术领域涉及：G01D5/14；该发明授权一种自偏置的d36模式磁电传感器及其制造方法是由刘明;胡忠强;吴金根;乔佳诚;徐奕维设计研发完成，并于2023-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种自偏置的d36模式磁电传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：一种自偏置的d36模式磁电传感器及其制造方法，包括压电材料、磁致伸缩材料和基座；基座上设置有凹槽，若干压电材料设置在凹槽内，相邻的压电材料平行放置；压电材料极化方向与基座的长度方向垂直且相邻的压电材料的极化方向相反；磁致伸缩材料设置在压电材料的顶面，且与基座长度方向平行，磁致伸缩材料和基座将压电材料夹持在中间。本发明所提出的自偏置的d36模式磁电传感器，无需提供直流偏置磁场即可使用，大大降低了器件的能耗，扩展了器件使用范围。表现出高磁电耦合系数，能够检测微弱信号的交流磁场。自偏置磁电传感器在弱磁场检测方面显示出巨大的优势。
本发明授权一种自偏置的d36模式磁电传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种自偏置的d36模式磁电传感器，其特征在于，包括压电材料（1）、磁致伸缩材料（2）和基座（3）；基座（3）上设置有凹槽，若干压电材料（1）设置在凹槽内，相邻的压电材料（1）平行放置；压电材料（1）极化方向与基座（3）的长度方向垂直且相邻的压电材料（1）的极化方向相反；磁致伸缩材料（2）设置在压电材料（1）的顶面，且与基座（3）长度方向平行，磁致伸缩材料（2）和基座（3）将压电材料（1）夹持在中间。
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