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龙图腾网获悉中国科学院光电技术研究所申请的专利一种大衍射角星象图案生成器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116661030B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310631736.8，技术领域涉及：G02B3/00；该发明授权一种大衍射角星象图案生成器件的制备方法是由刘鑫;李敏;范斌;杜俊峰;边疆;雷柏平;亓波;杨虎设计研发完成，并于2023-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种大衍射角星象图案生成器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种大衍射角星象图案生成器件的制备方法，该器件由两层微透镜阵列结构融合而成，且两层阵列结构的周期、球冠直径和矢高互不相同、坐标轴线按照一定的角度偏转。本发明利用两层微透镜阵列结构的几何尺寸互不相同、坐标轴线互有夹角的特点，并通过特殊的制备方法将双层微米量级结构融合为一层兼具微米量级和纳米量级的特殊结构，使星象图案生成器件的特征线宽由掩膜图形的微米量级降低到纳米量级，衍射角度大大提升；且制备过程无需纳米量级的加工技术，简单易行、制作成本低。

本发明授权一种大衍射角星象图案生成器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种大衍射角星象图案生成器件的制备方法，其特征在于：该器件由两层微透镜阵列结构融合而成，且两层微透镜阵列结构的周期、球冠直径和矢高互不相同、坐标轴线之间具有一定角度；所述制备方法包含以下步骤： 步骤1、设计两层微透镜阵列结构的尺寸参数，两者的周期、球冠直径和矢高均不相同，并利用激光直写技术制作第一掩模1和第二掩膜2； 步骤2、在石英基底3表面均匀涂覆一层光刻胶4； 步骤3、利用接触式掩膜曝光技术将第一掩膜1的图形复制到光刻胶4上，显影后获得第一光刻胶材料的圆柱体阵列41； 步骤4、利用光刻胶热回流法对所述圆柱体阵列41进行烘烤，形成第一光刻胶材料的微透镜阵列结构42； 步骤5、利用反应离子刻蚀技术将所述微透镜阵列结构42转移到石英基底3表面，获得第一层石英材料的微透镜阵列结构31； 步骤6、在所述第一层石英材料的微透镜阵列结构31表面涂覆一层光刻胶4； 步骤7、利用接触式掩膜曝光技术将第二掩膜2的图形复制到所述微透镜阵列结构31表面的光刻胶4上，曝光前将第二掩膜2进行一定角度的偏转，使其与第一掩模1的坐标轴线之间形成一定的夹角，显影后获得第二光刻胶材料的类圆柱体阵列43； 步骤8、利用光刻胶热回流法对所述类圆柱体阵列43进行烘烤，获得第二光刻胶材料的类微透镜阵列结构44； 步骤9、利用反应离子刻蚀技术将所述类微透镜阵列结构45转移到第一层石英材料的微透镜阵列结构31表面，即可制备完成由双层微透镜阵列结构融合而成的双层微透镜阵列融合结构32。

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