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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种基于负微分电阻效应的主动电调控太赫兹超材料滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116454572B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310669866.0，技术领域涉及：H01P1/20；该发明授权一种基于负微分电阻效应的主动电调控太赫兹超材料滤波器是由于虹;魏晓;李思政设计研发完成，并于2023-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于负微分电阻效应的主动电调控太赫兹超材料滤波器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种由顶部超材料层、金属电极、衬底层和底部超材料层组成的一种基于负微分电阻效应的主动电调控太赫兹超材料滤波器，属于太赫兹技术领域。顶部超材料层由周期性金属阵列结构组成，衬底层为具有负微分电阻效应的Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料砷化镓，衬底下表面的底部超材料层由周期性金属阵列结构组成，两个金属电极制作在重掺杂的衬底的上表面；通过两个金属电极在半导体衬底上施加高偏置电压，在半导体衬底内部产生强横向电场会引起半导体材料的负微分电阻效应，这将改变半导体衬底的材料性质，从而影响器件的谐振频率和透射率，形成了一种主动电调控太赫兹超材料滤波器件。

本发明授权一种基于负微分电阻效应的主动电调控太赫兹超材料滤波器在权利要求书中公布了：1.一种基于负微分电阻效应的主动电调控太赫兹超材料滤波器，其特征在于，包括由顶部人工结构单元构成的第一超材料层（1）、阳极（3）、阴极（6）、衬底层（2）、阳极高掺杂半导体层（4）、阴极高掺杂半导体层（5）、底部人工结构单元组成的第二超材料层（7）；在衬底层（2）的上面设有第一超材料层（1），在衬底层（2）的一侧设有阳极高掺杂半导体层（4），在衬底层（2）的另一侧设有阴极高掺杂半导体层（5）；在阳极高掺杂半导体层（4）上设有阳极（3），在阴极高掺杂半导体层（5）上设有阴极（6）；其中第一超材料层（1）、阳极（3）、阴极（6）在同一平面上；在衬底层（2）的底部设有人工结构单元组成的第二超材料层（7）； 所述衬底层（2）为具有负微分电阻效应的半导体材料； 所述衬底层（2）、阳极高掺杂半导体层（4）和阴极高掺杂半导体层（5）的半导体材料为砷化镓、氮化镓、磷化铟中的一种，通过阳极（3）和阴极（6）在衬底层（2）上施加高偏置电压，此时阳极（3）、阴极（6）与衬底层（2）形成耿氏二极管，在衬底层（2）内部产生的负微分电阻效应会影响衬底层（2）内载流子浓度、迁移率、有效质量的分布，从而改变滤波器的谐振特性。

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