武汉理工大学刘保顺获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利一种非晶衬底VO2单晶薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117418202B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311187852.1，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种非晶衬底VO2单晶薄膜及其制备方法是由刘保顺;赵修建设计研发完成，并于2023-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种非晶衬底VO2单晶薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种非晶衬底VO2单晶薄膜，它为在非晶衬底上生长的VO2单晶薄膜；具体制备步骤包括：1以钒氧化物为靶材，在惰性气氛下进行磁控溅射，在非晶衬底表面形成无序状钒氧化物薄膜；2将所得无序状钒氧化物膜放入反应容器中通入氧气并调节气压，然后加热进行退火氧化，得所述VO2单晶薄膜。本发明首次提出在玻璃等非晶衬底上实现高质量VO2单晶薄膜的构建，所述VO2单晶薄膜相变前后电阻变化比达三个数量级以上，可兼顾良好的电学性能和光学性能等；且涉及的制备方法较简单、操作方便，可为高质量单晶VO2薄膜的制备提供一条新思路。
本发明授权一种非晶衬底VO2单晶薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种非晶衬底VO2单晶薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1）以钒氧化物为靶材，在惰性气氛下进行磁控溅射，在非晶衬底表面形成无序状钒氧化物薄膜； 2）将所得无序状钒氧化物膜放入反应容器中，通入氧气调节气压，然后加热进行退火氧化，得所述VO2单晶薄膜； 所述磁控溅射步骤采用的惰性气体流量为10~20sccm、溅射工作气压为3~10mtorr、钒氧化物靶溅射功率为50~100W、基片温度为室温，溅射时间为100~140min； 步骤2）中所述氧气的流量为2~10sccm，气压为50~250mTorr； 所述退火氧化步骤采用的温度为480~550℃，时间为30~60min。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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