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龙图腾网获悉新特能源股份有限公司;内蒙古新特硅材料有限公司申请的专利吸附剂的再生处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117205905B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311270539.4，技术领域涉及：B01J20/34；该发明授权吸附剂的再生处理方法是由高霞;刘兴平;苏国良;马宇洁;达伟民;薛曾恩设计研发完成，并于2023-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本吸附剂的再生处理方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种吸附剂的再生处理方法，包括：将待再生的吸附剂置于第一温度下在第一氛围环境中进行处理；将在第一温度下处理的吸附剂置于第二温度下在第二氛围环境中进行处理；将在第二温度下处理的吸附剂置于第三温度下在第三氛围环境中进行处理；第一温度为70‑180℃，第二温度为220‑400℃，第三温度为150‑200℃；第一氛围环境包括氮气环境或真空环境，第二氛围环境包括氮气环境或真空环境，第三氛围环境包括氧化性气氛。通过上述方法再生的吸附剂可以吸附三氯氢硅中的B、P、金属杂质，再生吸附剂的吸附效果好，吸附效率高，可以循环利用，降低成本。

本发明授权吸附剂的再生处理方法在权利要求书中公布了：1.一种三氯氢硅除杂吸附剂的再生处理方法，其特征在于，包括： 将待再生的具有磁性的Fe3O4微粒的吸附剂置于第一温度下在第一氛围环境中进行处理； 将在第一温度下处理的吸附剂置于第二温度下在第二氛围环境中进行处理； 将在第二温度下处理的吸附剂置于第三温度下在第三氛围环境中进行处理； 将吸附剂在酸性溶液中进行清洗，用去离子水清洗吸附剂并进行干燥； 其中，所述第一温度为70-180℃，所述第二温度为220-400℃，所述第三温度为150-200℃； 所述第一氛围环境包括氮气环境或真空环境，所述第二氛围环境包括氮气环境或真空环境，所述第三氛围环境包括氧化性气氛； 将待再生的吸附剂置于第一温度下在第一氛围环境中进行处理的步骤包括： 将待再生的吸附剂置于第一温度下在第一氛围环境中进行处理6-36h； 将在第一温度下处理的吸附剂置于第二温度下在第二氛围环境中进行处理的步骤包括： 将在第一温度下处理的吸附剂置于第二温度下在第二氛围环境中进行处理16-48h； 所述第二氛围环境为真空环境，将在第二温度下处理的吸附剂置于第三温度下在第三氛围环境中进行处理的步骤包括： 将在第二温度下处理的吸附剂置于第三温度下在第三氛围环境中进行处理6-36h。

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