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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种用于单光束SERF原子磁强计的保温隔热烤箱结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117404897B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311311923.4，技术领域涉及：F26B23/00；该发明授权一种用于单光束SERF原子磁强计的保温隔热烤箱结构是由唐钧剑;马瑜健;翟跃阳;林树东;许襄晋;雷高益设计研发完成，并于2023-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于单光束SERF原子磁强计的保温隔热烤箱结构在说明书摘要公布了：一种用于单光束SERF原子磁强计的保温隔热烤箱结构，可实现对碱金属气室的快速均匀加热，同时避免热量向外传递，实现良好的保温隔热效果，其特征在于，包括组合形成烤箱箱体结构的气室支架和支架盖板，所述烤箱箱体结构的腔室底面上覆盖陶瓷加热结构以形成容置碱金属气室的空腔，所述陶瓷加热结构的上表面贴附有加热膜，所述陶瓷加热结构上设置有用于放置测温铂电阻的凹槽，所述气室支架和支架盖板的材料均为聚醚醚酮PEEK。

本发明授权一种用于单光束SERF原子磁强计的保温隔热烤箱结构在权利要求书中公布了：1.一种应用于单光束SERF原子磁强计的保温隔热烤箱结构，其特征在于，包括组合形成烤箱箱体结构的气室支架和支架盖板，所述烤箱箱体结构的腔室底面上覆盖陶瓷加热结构以形成容置碱金属气室的空腔，所述陶瓷加热结构的上表面贴附有加热膜，所述陶瓷加热结构上设置有用于放置测温铂电阻的凹槽，所述气室支架和支架盖板的材料均为聚醚醚酮PEEK； 所述气室支架具有上部敞口和前部敞口，所述气室支架的后壁外表面上设置有气室支架后侧凹槽，所述气室支架的左壁和右壁上分别设置有气室支架左侧通光孔和气室支架右侧通光孔，所述气室支架的底面上设置有气室支架左后侧支承结构、气室支架左前侧支承结构、气室支架右前侧支承结构和气室支架右后侧支承结构，所述支架盖板包括顶板、从顶板后侧向下延伸的中间插板、以及从顶板前侧分别向下延伸的左插腿和右插腿，所述中间插板插入所述气室支架后侧凹槽，所述左插腿靠接所述气室支架的左壁前侧面，所述右插腿靠接所述气室支架的右壁前侧面； 所述陶瓷加热结构的左壁上设置有陶瓷加热结构左侧通光孔，所述陶瓷加热结构的右壁上设置有陶瓷加热结构右侧通光孔； 所述气室支架底部上表面有方形凹槽，用于确定碱金属气室位置并放置碱金属气室； 所述陶瓷加热结构的后部为拱桥式结构，所述陶瓷加热结构的左右两侧设置有半圆形通光孔，对应所述气室支架的左右两侧圆形通光孔的上半圆部分； 所述碱金属气室为高硼硅玻璃或石英玻璃制品； 所述气室支架的底部具有圆孔。

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