哈尔滨工业大学赵光宇获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种基于焊接区域偏析的锂负极双层界面修饰层及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117374256B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311583576.0，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种基于焊接区域偏析的锂负极双层界面修饰层及其制备方法和应用是由赵光宇;白小明;张莉;强建杰;王羽鑫;王博涵设计研发完成，并于2023-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于焊接区域偏析的锂负极双层界面修饰层及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：一种基于焊接区域偏析的锂负极双层界面修饰层及其制备方法和应用，属于固态电池技术领域，其方案包括以下步骤：步骤一、对固态电解质片的表面进行打磨抛光；步骤二、将卤化铋修饰在打磨后的固态电解质片表面，得到经卤化铋修饰的固态电解质片；步骤三、将锂负极与修饰有卤化铋的固态电解质片的表面复合，在220～240℃下加热反应15～30min，通过控制冷却速率来实现对界面层结构的调控，得到包含卤化锂和锂铋合金的双层界面修饰层，其中卤化锂靠近固态电解质片一侧，锂铋合金靠近锂负极一侧。本发明操作方法简单高效可靠，不需要使用操作复杂的精密仪器，而且改善效果优异，易于大规模推广应用。
本发明授权一种基于焊接区域偏析的锂负极双层界面修饰层及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种基于焊接区域偏析的锂负极双层界面修饰层的制备方法，所述双层界面修饰层位于固态电解质片和锂负极之间，其特征在于：所述双层界面修饰层包括卤化锂层和锂铋合金层，所述卤化锂层靠近固态电解质片一侧，所述锂铋合金层靠近锂负极一侧；所述基于焊接区域偏析的锂负极双层界面修饰层的制备方法，包括以下步骤： 步骤一、对固态电解质片的表面进行打磨抛光； 步骤二、将卤化铋修饰在打磨后的固态电解质片表面，得到经卤化铋修饰的固态电解质片； 步骤三、将锂负极与修饰有卤化铋的固态电解质片的表面复合，在220～240℃下加热反应15～30min，以小于3℃min的冷却速率降温来实现对界面层结构的调控，得到包含卤化锂和锂铋合金的双层界面修饰层，其中卤化锂靠近固态电解质片一侧，锂铋合金靠近锂负极一侧。
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