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深圳市华星光电半导体显示技术有限公司罗传宝获国家专利权

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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利显示面板及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117790512B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311763631.4,技术领域涉及:H10D86/60;该发明授权显示面板及其制备方法是由罗传宝设计研发完成,并于2023-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

显示面板及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种显示面板及其制备方法。本发明的非显示区的第一薄膜晶体管的第一有源层包括设置于第一槽壁上的第一沟道部、设置于第二槽壁上的第二沟道部、设置于第一槽底上且连接于第一沟道部和第二沟道部之间的第一导电部、设置于第一子源极上且连接于第一沟道部的第二导电部以及设置于第二子源极上且连接于第二沟道部的第三导电部,由此使得第一薄膜晶体管具有左右两个彼此相连的垂直沟道结构。通过采用具有双垂直沟道结构的第一薄膜晶体管,提升第一薄膜晶体管的载流子迁移率和电流,避免增大第一薄膜晶体管的尺寸,有利于减小显示面板的尺寸,从而有利于实现显示面板的窄边框设计。

本发明授权显示面板及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种显示面板,所述显示面板包括显示区101和位于所述显示区101的至少一侧的非显示区102,其特征在于,所述显示面板包括:基板1及设置于所述基板1上的第一薄膜晶体管2; 其中,所述第一薄膜晶体管2位于所述非显示区102,所述第一薄膜晶体管2包括:第一漏极21、第一有源层24、设置于所述第一漏极21上的层间绝缘层22以及设置于所述层间绝缘层22上的第一源极23;所述第一薄膜晶体管2中还设有贯穿所述第一源极23及所述层间绝缘层22的第一凹槽26; 其中,第一凹槽26具有第一槽壁261、第二槽壁262以及连接于所述第一槽壁261与所述第二槽壁262之间的第一槽底263; 其中,所述第一源极23包括第一子源极231和第二子源极232,所述第一子源极231位于所述第一凹槽26的一侧的所述层间绝缘层22上,所述第二子源极232位于所述第一凹槽26的另一侧的所述层间绝缘层22上; 其中,所述第一有源层24包括:设置于所述第一槽壁261上的第一沟道部241、设置于所述第二槽壁262上的第二沟道部242、设置于所述第一槽底263上且连接于所述第一沟道部241和所述第二沟道部242之间的第一导电部243、设置于所述第一子源极231上且连接于所述第一沟道部241的第二导电部244以及设置于所述第二子源极232上且连接于所述第二沟道部242的第三导电部245。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,其通讯地址为:518132 广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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