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龙图腾网获悉粤芯半导体技术股份有限公司申请的专利一种减少炉管内颗粒的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117672925B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311787174.2，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种减少炉管内颗粒的方法是由邱锦华;施剑华设计研发完成，并于2023-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种减少炉管内颗粒的方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种减少炉管内颗粒的方法，其中，该方法包括：在炉管的热反应腔体内针对进行热反应工艺后的晶圆按照第一预设降温条件对晶圆进行第一次降温操作，以控制晶圆的温度下降至第一预设温度；在第一次降温操作执行后按照第二预设降温条件对晶圆进行第二次降温操作，以控制晶圆的温度下降至第二预设温度；在第二次降温操作执行后按照预设停止旋转条件控制装载晶圆的晶舟停止旋转。本申请解决了现有技术中在炉管内部容易产生颗粒的技术问题，达到了减少由于晶圆形变而产生的颗粒以及减少由于晶圆与晶舟之间的摩擦而产生的颗粒的技术效果。

本发明授权一种减少炉管内颗粒的方法在权利要求书中公布了：1.一种减少炉管内颗粒的方法，其特征在于，所述方法包括： 在炉管的热反应腔体内针对进行热反应工艺后的晶圆按照第一预设降温条件对所述晶圆进行第一次降温操作，以控制所述晶圆的温度下降至第一预设温度，所述第一预设降温条件用于提高晶圆的冷却效率，晶圆的温度在大于或者等于第一预设温度时不会由于形变而产生颗粒，晶圆的温度在小于第一预设温度时晶圆会由于形变而产生颗粒； 在所述第一次降温操作执行后按照第二预设降温条件对晶圆进行第二次降温操作，以控制所述晶圆的温度下降至第二预设温度，所述第二预设降温条件用于限制晶圆的形变且防止对热反应腔体升温，所述第二预设温度为所述热反应腔体的预设待机温度； 在所述第二次降温操作执行后按照预设停止旋转条件控制装载晶圆的晶舟停止旋转，所述预设停止旋转条件用于限制晶圆与所述炉管内的晶舟之间产生相对位移，以减少颗粒的产生； 所述第一预设降温条件包括：通过控制所述热反应腔体的降温速率来提高晶圆的冷却效率， 所述第二预设降温条件包括：通过控制所述热反应腔体的降温速率来限制晶圆的形变，以及通过对所述热反应腔体的温度进行温度补偿来防止重新加热晶圆， 所述预设停止旋转条件包括：通过限制所述晶舟的旋转加速度来防止由于惯性而导致在停止旋转过程中所述晶圆与所述晶舟之间产生相对位移。

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