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龙图腾网获悉粤芯半导体技术股份有限公司申请的专利一种深沟槽隔离结构的改善方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117637596B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410011750.2，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权一种深沟槽隔离结构的改善方法是由谢辉;陈献龙;韩佳锡设计研发完成，并于2024-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种深沟槽隔离结构的改善方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种深沟槽隔离结构的改善方法，应用于半导体技术领域。具体的，其可先在基底上形成多个深沟槽，以通过不同区域深沟槽的数量不同，将所述基底划分为图形密集区和图形稀疏区，之后在形成填充在该基底上的深沟槽隔离结构的膜层结构，即第一硬掩膜层、第二硬掩膜层和多晶硅层，之后再对所述深沟槽隔离结构的膜层结构进行化学机械研磨工艺，并具体将该化学机械研磨工艺分成三个采用两种研磨液的研磨盘进行，进而实现在将多晶硅层和第二硬掩膜层全部去除的同时，减少过研磨步骤的研磨时长，改善图形密集区和图形稀疏区之间的硬掩膜层的厚度差，且避免形成的深沟槽隔离结构表面发生蚀坑或碟形坑缺陷等问题的目的。

本发明授权一种深沟槽隔离结构的改善方法在权利要求书中公布了：1.一种深沟槽隔离结构的改善方法，其特征在于，包括： 提供一基底，所述基底包括图形密集区和图形稀疏区，所述图形密集区的图形密度大于所述图形稀疏区的图形密度，所述基底上形成有第一硬掩膜层； 刻蚀所述基底，以在所述图形密集区和图形稀疏区的基底内形成多个深沟槽； 形成第二硬掩膜层和多晶硅层，所述第二硬掩膜层位于相邻所述深沟槽之间的所述第一硬掩膜层上，所述多晶硅层填满所述深沟槽并延伸覆盖在所述第二硬掩膜层上； 使用第一研磨液对放置在第一研磨盘上的所述基底进行第一次研磨，以去除部分所述多晶硅层； 以所述第二硬掩膜层为研磨停止层，使用第二研磨液对放置在第二研磨盘上的所述基底进行第二次研磨，以去除位于所述第二硬掩膜层上的剩余多晶硅层，并同时允许所述第二硬掩膜层的部分表面残留有部分所述多晶硅层，即得到较为平整的第二硬掩膜层界面，所述第二次研磨包括过研磨步骤，该过研磨步骤的研磨时长为：10s~20s； 以所述第一硬掩膜层为研磨停止层，使用所述第一研磨液对放置在第三研磨盘上的所述基底进行第三次研磨，以去除所述第二硬掩膜层，且得到平整的第一硬掩膜层界面，所述第三次研磨包括过研磨步骤，该过研磨步骤的研磨时长为：8s~12s； 其中，在进行所述研磨时，所述第一研磨盘的压力等于第二研磨盘的压力，且所述第二研磨盘的压力大于所述第三研磨盘的压力。

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