粤芯半导体技术股份有限公司艾怡君获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉粤芯半导体技术股份有限公司申请的专利一种半导体器件及其N型阱偏移量的检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117976658B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410126993.0，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权一种半导体器件及其N型阱偏移量的检测方法是由艾怡君;赵晓龙;张青;张拥华设计研发完成，并于2024-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其N型阱偏移量的检测方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件及其N型阱偏移量的检测方法，P型阱、第一N型阱、第二N型阱以及隔离结构均设置于衬底中；第一N型阱和第二N型阱分别位于P型阱的两侧且均与P型阱间隔设置；隔离结构的两侧分别与第一N型阱和第二N型阱接触设置，隔离结构的底部与P型阱接触设置；自隔离结构朝向P型阱的方向上，第一N型阱的正投影未与隔离结构的正投影重叠的区域且与衬底的正投影重叠的区域为第一重合区，第二N型阱的正投影未与隔离结构的正投影重叠的区域且与衬底的正投影重叠的区域为第二重合区；测试部包括第一测试垫和第二测试垫，第一测试垫和第二测试垫位于第一重合区以及第二重合区的上端和下端，以提高N型阱偏移量的检测效率。
本发明授权一种半导体器件及其N型阱偏移量的检测方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； P型阱，设置于所述衬底中； 第一N型阱和第二N型阱，设置于所述衬底中，所述第一N型阱和所述第二N型阱分别位于所述P型阱的两侧且均与所述P型阱间隔设置； 隔离结构，设置于所述衬底中，所述隔离结构的两侧分别与所述第一N型阱和第二N型阱接触设置，所述隔离结构的底部与所述P型阱接触设置；自所述隔离结构朝向所述P型阱的方向上，所述第一N型阱的正投影未与所述隔离结构的正投影重叠的区域且与所述衬底的正投影重叠的区域为第一重合区，所述第二N型阱的正投影未与所述隔离结构的正投影重叠的区域且与所述衬底的正投影重叠的区域为第二重合区； 测试部，包括间隔设置的至少一第一测试垫和至少一第二测试垫，所述第一测试垫位于所述第一重合区以及所述第二重合区的上端和下端中的一者，所述第二测试垫位于所述第一重合区以及所述第二重合区的上端和下端中的另一者。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人粤芯半导体技术股份有限公司，其通讯地址为：510700 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号