买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉深圳大学申请的专利立体氮化镓基PN二极管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118263246B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410193610.1，技术领域涉及：H10D84/00；该发明授权立体氮化镓基PN二极管及制备方法是由刘新科;张雅婷;黄烨莹;蒋忠伟;黎晓华设计研发完成，并于2024-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本立体氮化镓基PN二极管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种立体氮化镓基PN二极管及其制备方法，其中，一种立体氮化镓基PN二极管，包括：外表面间隔设置有若干器件区域的立体衬底、对应设置于各器件区域上的若干器件、覆盖器件表面和立体衬底的非器件区域的互联介质层；各器件包括设置于立体衬底表面的第一介质层、设置于第一介质层背离立体衬底一侧的n‑‑GaN层、设置于n‑‑GaN层上背离立体衬底一侧的阴极和p‑GaN层、设置于p‑GaN层上背离立体衬底一侧的阳极；互联介质层固定有若干互联金属，器件之间对应的阳极通过互联金属连接，器件之间对应的阴极也通过互联金属连接。本发明中的二极管，立体衬底散热性佳，二极管的集成度高，具备更优异的电性能，应用场景更加广泛，提高了器件的性能和寿命。

本发明授权立体氮化镓基PN二极管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种立体氮化镓基PN二极管，其特征在于，包括：外表面间隔设置有若干器件区域的立体衬底、对应设置于各所述器件区域上的若干器件、覆盖所述器件表面和所述立体衬底的非器件区域的互联介质层； 各所述器件包括设置于所述立体衬底表面的第一介质层、设置于所述第一介质层背离所述立体衬底一侧的n--GaN层、设置于所述n--GaN层上背离所述立体衬底一侧的阴极和p-GaN层、设置于所述p-GaN层上背离所述立体衬底一侧的阳极； 所述互联介质层固定有若干互联金属，所述器件之间对应的所述阳极通过所述互联金属连接，所述器件之间对应的所述阴极也通过所述互联金属连接； 其中，所述互联介质层至少有多层，各层所述互联介质层上对应的所述互联金属连接所述器件之间的所述阳极，或，连接所述器件之间的所述阴极；全部器件之间的阴极通过单层互联介质层上的互联金属连接，全部器件之间的阳极也通过单层互联介质层上的互联金属连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳大学，其通讯地址为：518060 广东省深圳市南山区粤海街道南海大道3688号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。