武汉脑链科技有限公司刘万华获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉脑链科技有限公司申请的专利一种用于脑电帽电极片涂覆保护层的装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223312371U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420681371.X，技术领域涉及：B05C13/02；该实用新型一种用于脑电帽电极片涂覆保护层的装置是由刘万华;刘文霞设计研发完成，并于2024-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于脑电帽电极片涂覆保护层的装置在说明书摘要公布了：本实用新型属于电极片制备领域，尤其涉及一种用于脑电帽电极片涂覆保护层的装置，包括主体结构，所述主体结构采用弹性材料制成，所述主体结构上设置有若干凹槽，不同凹槽的尺寸相同或不同，所述凹槽的尺寸与电极片相适应，用于将电极片固定在凹槽内；所述凹槽的深度h为1～5mm，其中，凹槽的深度与电极片的厚度d之差为1～2mm，主体结构上与凹槽对应之处还设置有若干线路间隙，线路间隙与凹槽相连通。本实用新型的加料方法较简单，效率较高，且成品率较高。
本实用新型一种用于脑电帽电极片涂覆保护层的装置在权利要求书中公布了：1.一种用于脑电帽电极片涂覆保护层的装置，包括主体结构，其特征在于，所述主体结构采用弹性材料制成，所述主体结构上设置有若干凹槽，不同凹槽的尺寸相同或不同，所述凹槽的尺寸与电极片相适应，用于将电极片固定在凹槽内； 所述凹槽的深度h为1～5mm，其中，凹槽的深度与电极片的厚度d之差为1～2mm，主体结构上与凹槽对应之处还设置有若干线路间隙，线路间隙与凹槽相连通。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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