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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种芯片内部冷却的多芯片阵列集分液结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118315353B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410422406.2，技术领域涉及：H01L23/473；该发明授权一种芯片内部冷却的多芯片阵列集分液结构是由张剑飞;张骁烁;屈治国设计研发完成，并于2024-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片内部冷却的多芯片阵列集分液结构在说明书摘要公布了：本发明提出了一种芯片内部冷却的多芯片阵列集分液结构，包括：多芯片阵列、底部基板、二级集液基板、二级分液基板和一级集分液基板；低温冷却液从一级集分液基板的总进液口进入，经过一级集分液基板的一级分液流道和二级分液基板的二级分液流道进行均匀流量分配后，通过二级集液基板进液口和底部基板进液口进入多芯片阵列的各芯片内部进行冷却，将多芯片阵列的热量带走后变为高温冷却液，随后通过底部基板出液口进入二级集液基板的二级集液流道，并经二级集液基板出液口和二级分液基板出液口进入一级集分液基板的一级集液流道汇总，最后从一级集分液基板的总出液口流出；本发明通过两级分液流道和两级集液流道的设计实现了多芯片的并联流道和芯片间的均匀流量分配，保证了多芯片阵列极高的温度均匀性，同时具有占地面积小、低功耗的优点，为实现受限空间内多芯片的高效热输运提供了一种解决方案。

本发明授权一种芯片内部冷却的多芯片阵列集分液结构在权利要求书中公布了：1.一种芯片内部冷却的多芯片阵列集分液结构，其特征在于：从下到上包括紧密接触的多芯片阵列1、底部基板2、二级集液基板3、二级分液基板4和一级集分液基板5； 所述多芯片阵列1接触底部基板2的正面设有多个微流道6，背面与微流道6对应位置设有多个集成电路7，所述微流道6内的低温冷却液带走所述集成电路7产生的热量变为高温冷却液，直接对芯片进行内部冷却； 所述底部基板2设有多个底部基板进液口8和多个底部基板出液口9，每个所述多芯片阵列1的微流道6与一个底部基板进液口8和一个底部基板出液口9对应； 所述二级集液基板3接触二级分液基板4的正面设有多个二级集液基板进液口10和多个二级集液基板出液口11，所述二级集液基板进液口10与所述底部基板进液口8位置一一对应且尺寸相同，所述二级集液基板出液口11连通所述底部基板出液口9；背面设有二级集液流道12，所述二级集液流道12连通所述底部基板出液口9； 所述二级分液基板4接触一级集分液基板5的正面设有多个二级分液基板进液口13和多个二级分液基板出液口14，所述二级分液基板进液口13连通所述二级集液基板进液口10，所述二级分液基板出液口14与所述二级集液基板出液口11位置一一对应且尺寸相同；背面设有二级分液流道15，所述二级分液流道15连通所述二级集液基板进液口10； 所述一级集分液基板5正面设有一个总进液口16和两个总出液口17，连通二级分液基板进液口13和二级分液基板出液口14；背面设有一级集分液流道，所述一级集分液流道包括连通所述二级分液基板进液口13的一级分液流道18和连通所述二级分液基板出液口14的一级集液流道19。

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