华硼中子科技(杭州)有限公司王盛获国家专利权
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龙图腾网获悉华硼中子科技(杭州)有限公司申请的专利一种基板结构、靶系统及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118591072B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410505433.6，技术领域涉及：H05H6/00；该发明授权一种基板结构、靶系统及其制备方法是由王盛;王洁;谢宇鹏;胡耀程;杨一帆;胡泽鸣;吴涛;孙秋宇;司清宇设计研发完成，并于2024-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基板结构、靶系统及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及核技术领域，公开了一种基板结构、靶系统及其制备方法。该靶系统包括基板，所述基板的上表面为蜂窝状结构，所述蜂窝状结构中相邻通孔之间的交界处设置有若干导流孔，各通孔内由下到上依次设置有氢扩散层、靶材层及氧化缓解层。本发明对靶系统的基板结构进行优化后可在靶材层发生核反应放出氢气时，加快氢气的扩散速度，从而显著提高靶系统的使用寿命。
本发明授权一种基板结构、靶系统及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种靶系统，其特征在于：包括上表面为蜂窝状结构的基板，蜂窝状结构中相邻通孔交界处设有若干导流孔； 各通孔内由下到上依次设有氢扩散层、靶材层； 氢扩散层以氢扩散系数为基板材质至少10000倍的高储氢高氢扩散率材料为基质，基质中分散有与基板材质相同的元素； 自下到上，氢扩散层中与基板材质相同元素的含量逐渐降低； 氢扩散层由高储氢高氢扩散率材料分多次填充于通孔内后激光烧结、再通过蒸镀或溅射镀膜或真空热压在通孔内压注若干层高储氢高氢扩散率材料后形成；每层激光烧结的激光功率Ct＝200W+20W*n-CC，n为总烧结层数，CC为当前烧结的层数。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华硼中子科技(杭州)有限公司，其通讯地址为：310000 浙江省杭州市上城区九环路63号2幢A座135室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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