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龙图腾网获悉合肥工业大学申请的专利基于STM32的非接触式材料电学性质测量方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118795020B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410541623.3，技术领域涉及：G01N27/90；该发明授权基于STM32的非接触式材料电学性质测量方法及系统是由李帷韬;王天齐;金宇奇;代陆;董开阳;李志军;闫锦涛;房楚博;李奇越;孙伟;张倩;张志强设计研发完成，并于2024-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于STM32的非接触式材料电学性质测量方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供基于STM32的非接触式材料电学性质测量方法及系统，方法包括：利用电涡流传感器靠近不同的被测材料，测量电路响应变化，以得到电涡流传感器的电感变化数据；根据电感变化数据，进行电磁场理论分析、电涡流传感器理论分析、电容三点式振荡电路理论分析，得到材料磁场强度分布，以推断被测材料的电性学性质；对被测材料进行实验及模拟仿真，获取并根据实验数据，建立并存储不同温度下的电路响应数据库；基于STM32控制芯片，设计电涡流传感器的电容三点式振荡电路，实时采集电路响应数据，与电路响应数据库进行比较，以获取并显示电学性质检测结果。本发明解决了环境干扰、材料复杂性以及测量模型复杂的技术问题。

本发明授权基于STM32的非接触式材料电学性质测量方法及系统在权利要求书中公布了：1.基于STM32的非接触式材料电学性质测量方法，其特征在于，所述方法包括： S1、利用电涡流传感器靠近不同的被测材料，测量电路响应变化，以得到电涡流传感器的电感变化数据； S2、根据电感变化数据，进行电磁场理论分析、电涡流传感器理论分析、电容三点式振荡电路理论分析，得到材料磁场强度分布，以推断被测材料的电性学性质； S2包括： S21、进行电磁场理论分析，其中，基于法拉第电磁感应定律、安培环路定理，推导出涡电流一般公式，包括：交变磁场的表达式、感应电动势满足的方程、感应电流密度满足的方程、感应电流密度与感应电动势关系，据以推导出涡电流基本方程； S22、求解涡电流基本方程，以得到涡电流分布、涡电流强度，据以求取材料磁场强度分布； S23、利用阻抗匹配原理，计算反射系数Γ和透射系数τ； S24、进行电涡流传感器理论分析，其中，根据电涡流传感器的等效电路，列出等效电路方程组，求取电涡流式传感器的线圈复阻抗、线圈等效电感以及线圈等效Q值的表达式，处理得到非线性函数关系，以测量被测材料； S25、进行电容三点式振荡电路理论分析； S3、对被测材料进行实验及模拟仿真，获取并根据实验数据，建立并存储不同温度下的电路响应数据库； S4、基于STM32控制芯片，设计电涡流传感器的电容三点式振荡电路，实时采集电路响应数据，与电路响应数据库进行比较，以获取并显示电学性质检测结果。

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