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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种通孔型垂直结构LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118676281B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410795595.8，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权一种通孔型垂直结构LED芯片及其制作方法是由杨克伟;尤翠萍;曲晓东;江土堆;赵斌;罗桂兰;陈凯轩设计研发完成，并于2024-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种通孔型垂直结构LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种通孔型垂直结构LED芯片及其制作方法，其中，通孔型垂直结构LED芯片在导电基板一侧设置金属键合层、绝缘介质结构、欧姆接触层、金属反射结构、透明导电层以及外延叠层；其中，金属反射结构沿背离外延叠层的方向依次包括层叠的金属反射镜和金属保护层；且通过金属保护层、第二型半导体层及部分绝缘介质结构形成封闭式结构将金属反射镜包覆，防止金属反射镜脱落，及金属反射镜的金属材料扩散至芯片的四周，而影响通孔反射结构的反射效果及产品的稳定性，可用来提高芯片的光提取效率及产品的可靠性，进而提升通孔型垂直结构LED芯片的亮度及可靠性，其工艺制作简单、便捷，便于生产化。

本发明授权一种通孔型垂直结构LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种通孔型垂直结构LED芯片，其特征在于，包括： 导电基板； 设置于所述导电基板一侧的金属键合层、绝缘介质结构、欧姆接触层、金属反射结构、透明导电层以及外延叠层；其中，所述外延叠层至少包括沿第一方向依次堆叠的第二型半导体层、有源区以及第一型半导体层，且所述外延叠层朝向所述导电基板的一侧表面设有向所述第一型半导体层延伸的凹槽，并显露所述第一型半导体层的部分表面，所述第一方向垂直于所述导电基板，并由所述导电基板指向所述外延叠层； 所述金属反射结构设置于所述第二型半导体层背离所述外延叠层一侧的部分表面； 所述欧姆接触层覆盖所述金属反射结构背离所述外延叠层的一侧表面，且所述欧姆接触层朝向所述外延叠层的一侧具有裸露面以用于外部电连接； 所述绝缘介质结构设置于所述外延叠层朝向所述导电基板的一侧，并覆盖所述欧姆接触层、金属反射结构及外延叠层的裸露面，且所述绝缘介质结构延伸至所述凹槽的侧壁并裸露所述凹槽的底部形成第一通孔； 其中，所述金属反射结构沿背离所述外延叠层的方向依次包括层叠的金属反射镜和金属保护层；且通过所述金属保护层、所述第二型半导体层及部分绝缘介质结构形成封闭式结构将所述金属反射镜包覆； 且，在所述封闭式结构中，所述绝缘介质结构的内侧壁具有沿背离所述金属反射镜方向延伸的内凹结构，所述绝缘介质结构的内侧壁还具有沿所述金属保护层方向延伸的凸出结构，所述金属反射镜位于所述凸出结构朝向外延叠层的一侧，并嵌入所述内凹结构，所述金属保护层与所述凸出结构接合； 所述金属键合层层叠于所述绝缘介质结构背离所述外延叠层的一侧表面，并通过所述第一通孔与所述第一型半导体层形成电连接，且所述导电基板层叠于所述金属键合层背离所述外延叠层的一侧表面。

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