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龙图腾网获悉安徽工业大学申请的专利一种离子刻蚀工艺控制PVD沉积涂层缺陷的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118835196B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410879839.0，技术领域涉及：C23C14/02；该发明授权一种离子刻蚀工艺控制PVD沉积涂层缺陷的方法是由张世宏;刘永康;杨英;郑军;张腾飞;张林;蔡飞设计研发完成，并于2024-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种离子刻蚀工艺控制PVD沉积涂层缺陷的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及PVD涂层生产工艺技术领域，具体涉及一种离子刻蚀工艺控制PVD沉积涂层缺陷的方法，该方法采用柱弧Ti靶材，在辅助阳极的作用下对试样进行离子刻蚀，惰性气体氩气作为反应气体，产生的等离子体达到离子刻蚀的作用，减少涂层沉积缺陷。使用表征设备对离子刻蚀前后的微观组织进行分析，并对不同涂层在3.5wt.％NaCl溶液条件下的腐蚀行为进行深入的分析。通过引入离子刻蚀的方法有效降低了缺陷的数量，同时改善涂层的电化学性能。

本发明授权一种离子刻蚀工艺控制PVD沉积涂层缺陷的方法在权利要求书中公布了：1.一种离子刻蚀工艺控制PVD沉积涂层缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1，样品表面前处理：利用粗砂纸将样品表面打磨除锈，再用细砂纸对表面进行打磨，然后使用抛光设备将样品表面抛光至镜面，最后将抛光好的样品放入酒精中进行超声波清洗、烘干； S2，装夹样品：使用夹具固定表面前处理的样品后，放置在炉腔内转架上； S3，设备抽真空：将腔室内的压强抽至P≤； S4，设备加热：通过设备腔体壁上的加热管，对样品进行加热至300℃，加热时间为3600s； S5，样品的辉光清洗：向腔室内通入氩气，设置偏压为-400V，对样品表面进行辉光清洗； S6，样品的离子刻蚀清洗：向腔室内通入氩气，设置偏压为-300V，开启Ti靶，从靶材上溅射出来的Ti离子被屏蔽罩遮挡，产生的电子在辅助阳极的作用下，对氩气进行轰击电离，产生的等离子体对样品表面进行刻蚀清洗； S7，样品的过渡层沉积：样品完成离子刻蚀清洗后，向腔室内通入氩气，开启Cr靶，从靶材中溅射的粒子沉积于样品表面，生成Cr金属过渡层； S8，CrNNbN涂层的制备：停止氩气的通入，在腔室内通入氮气，交替开启或同时开启Cr靶和Nb靶弧电源，靶材溅射的粒子和氮气离化的粒子结合，生成CrNNbN多层纳米多层涂层，在涂层制备过程中，插入三次离子刻蚀，持续时间分别为600s； S9，样品冷却、取样：沉积完毕后，待炉腔温度冷却到120℃以下时取出样品； 所述步骤S8中，通入氮气，沉积时腔室内压强稳定在，Cr靶材的电流为120A，Nb靶材的电流为160A，基体偏压为-80V； 所述步骤S8中，具体过程如下： S81，停止通入氩气，向腔室内通入氮气，压强稳定在，然后将1号靶材通电，靶电流设置为120A，偏压设置为-80V，沉积时间为1260s，随后断开1号靶材电流，3号靶材通电，靶电流设置为160A，偏压设置为-80V，沉积时间为660s，交替沉积循环2次；或者同时将1号和3号靶材通电，靶电流分别设置为120A和160A，偏压设置为-80V，沉积时间为1560s； S82，停止通入氮气，向腔室内通入氩气，压强稳定在，柱弧靶材通电，靶材电流设置为80A，偏压设置为-300V，2号和3号靶材为辅助阳极，离子源电流80A，刻蚀时间为600s； S83，停止通入氩气，向腔室内通入氮气，压强稳定在，然后将1号靶材通电，靶电流设置为120A，偏压设置为-80V，沉积时间为1260s，随后断开1号靶材电流，3号靶材通电，靶电流设置为160A，偏压设置为-80V，沉积时间为660s，交替沉积循环2次；或者同时将1号和3号靶材通电，靶电流分别设置为120A和160A，偏压设置为-80V，沉积时间为1560s； S84，停止通入氮气，向腔室内通入氩气，压强稳定在，柱弧靶材通电，靶材电流设置为80A，偏压设置为-300V，2号和3号靶材为辅助阳极，离子源电流80A，刻蚀的时间为600s； S85，停止通入氩气，向腔室内通入氮气，压强稳定在，然后将1号靶材通电，靶电流设置为120A，偏压设置为-80V，沉积时间为1260s，随后断开1号靶材电流，3号靶材通电，靶电流设置为160A，偏压设置为-80V，沉积时间为660s，交替沉积循环2次；或者同时将1号和3号靶材通电，靶电流分别设置为120A和160A，偏压设置为-80V，沉积时间为1560s； S86，停止通入氮气，向腔室内通入氩气，压强稳定在，柱弧靶材通电，靶材电流设置为80A，偏压设置为-300V，2号和3号靶材为辅助阳极，离子源电流80A，刻蚀的时间为600s； 所述2号靶材和3号靶材为辅助阳极； 所述1号靶材为Cr靶，3号靶材为Nb靶。

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