湖南蓝芯微电子科技有限公司尚金龙获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉湖南蓝芯微电子科技有限公司申请的专利降低漏电风险的高压发光二极管制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118943254B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410886005.2，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权降低漏电风险的高压发光二极管制备方法是由尚金龙;朱帅设计研发完成，并于2024-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本降低漏电风险的高压发光二极管制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及发光二极管芯片制备技术领域，具体涉及降低漏电风险的高压发光二极管及其制备方法。其方法包括在衬底上依次生长N型GaN层、发光量子阱及P型GaN层；制作N区台阶、绝缘刻蚀道及绝缘保护孔；刻蚀成形电流阻挡层和电流扩展层，提高了可靠性，减少金线焊接，减少安全保护二极管的添加并实现了高效的电流分布。
本发明授权降低漏电风险的高压发光二极管制备方法在权利要求书中公布了：1.一种降低漏电风险的高压发光二极管的制备方法，其特征在于，包括 在衬底上依次生长N型GaN层、发光量子阱及P型GaN层； 制作N区台阶2、绝缘刻蚀道1及绝缘保护孔6； 刻蚀成形电流阻挡层3和电流扩展层4； 绝缘刻蚀道1制作完成后，首先对侧边进行绝缘处理，然后进行后续的电极搭桥； 还包括同步制作电极桥连层与金属电极层5：先用负胶进行光刻，然后蒸镀铬、铝、铬、铂、金，最后进行剥离工艺； 制备后的发光二极管的芯片包括至少两个芯片单元7，芯片单元7之间通过两个并联单元8并联，芯片单元7与并联单元8上均刻蚀N区台阶，芯片单元7与并联单元8之间基于金属电极镀膜连接，芯片单元7与并联单元8的侧壁及分割处镀有绝缘层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖南蓝芯微电子科技有限公司，其通讯地址为：417000 湖南省娄底市涟滨街道吉星北路旺达创业园31栋4楼4427室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号