上海新微半导体有限公司张安邦获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新微半导体有限公司申请的专利一种半导体器件结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118841324B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410893684.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种半导体器件结构及其制备方法是由张安邦设计研发完成，并于2024-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法，通过在包括含铝势垒层的半导体层上形成复合钝化层，该复合钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，第一钝化层经图案化处理后形成有显露含铝势垒层的开口，第二钝化层覆盖第一钝化层并填充该开口。第一钝化层与第二钝化层其中之一包括铝元素，另一个包括硅元素，而栅电极形成于包括硅元素的钝化层与含铝势垒层直接接触的区域。这种复合钝化层的设计，有效减少了含铝势垒层表面的悬挂键和表面态，实现了对半导体器件结构的高效钝化。同时有效避免了后续栅电极通孔及源极接触孔制备过程中对含铝势垒层造成损伤，显著降低漏电风险，提高了半导体器件的电气性能和可靠性。
本发明授权一种半导体器件结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一半导体层，所述半导体层包括含铝势垒层； 形成复合钝化层于所述半导体层上方，所述复合钝化层包括先后形成的第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层经过图案化处理以形成显露所述含铝势垒层的开口，所述第二钝化层覆盖经图案化处理后的所述第一钝化层并填充进所述开口，所述第一钝化层包括铝元素，所述第二钝化层包括硅元素； 形成间隔设置的源电极及漏电极，所述源电极与所述漏电极均垂向贯穿所述复合钝化层； 形成第一介质层于所述复合钝化层上方； 形成栅电极通孔，所述栅电极通孔垂向贯穿所述第一介质层及所述复合钝化层，所述栅电极通孔位于所述开口所在区域； 形成栅电极，所述栅电极至少填充所述栅电极通孔。
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