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龙图腾网获悉北京伽略电子股份有限公司申请的专利一种低压的UVLO版图结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223322359U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421587413.X，技术领域涉及：H10D89/10；该实用新型一种低压的UVLO版图结构是由勇智强;张琼;杨磊设计研发完成，并于2024-07-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低压的UVLO版图结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种低压的UVLO版图结构，包括位于最外围带有PW的隔离地环，位于隔离地环内部左侧的N型差分对区，位于N型差分对区右侧且上下排布的分压电阻区、P型差分对区，位于分压电阻区、P型差分对区右侧的电容区、位于电容区右侧并上下排布的数字版图区、电流镜匹配区和位于隔离地环内部的电源线VDD、地线GND。本实用新型合理规划了版图信号，版图结构紧凑，提高了芯片面积利用率，减小了生产成本；根据版图设计规则，内部元器件电流镜、差分对、匹配电阻等进行了高精度匹配，保证周围环境的一致性；外围增加隔离保护环，增加其抗干扰能力，提高其精度和性能。

本实用新型一种低压的UVLO版图结构在权利要求书中公布了：1.一种低压的UVLO版图结构，其特征在于：包括位于最外围带有PW的隔离地环100，位于所述隔离地环100内部左侧的N型差分对区110，位于所述N型差分对区110右侧且上下排布的分压电阻区120、P型差分对区130，位于所述分压电阻区120、所述P型差分对区130右侧的电容区140、位于所述电容区140右侧并上下排布的数字版图区150、电流镜匹配区160和位于所述隔离地环100内部的电源线VDD、地线GND，所述N型差分对区110、所述分压电阻区120、所述P型差分对区130、所述电容区140、所述数字版图区150和所述电流镜匹配区160均连接在所述隔离地环100内部； 所述N型差分对区110和所述P型差分对区130为反馈电路，所述分压电阻区120、所述电容区140的电容C1为采样电路，所述数字版图区150为输出缓冲器，所述电流镜匹配区160为比较器； 所述N型差分对区110包括共质心匹配且布局成2行2列的CMOS管M6、CMOS管M7和位于管M6、管M7左右两侧的N型差分对区虚拟管，管M6栅极连接带隙基准电压VREF，管M7栅极连接所述分压电阻区120和所述数字版图区150； 所述分压电阻区120包括共质心匹配且单行排列的串联电阻R0、R1、R2和位于右端并联的电阻R3，电阻R0另一端连接地线GND，电阻R0和电阻R1之间输出采样电压VC，电阻R2另一端连接电源线VDD，电阻R3一端连接电源线VDD； 所述P型差分对区130包括差分对匹配为4行5列的CMOS管M0、CMOS管M1、CMOS管M2、CMOS管M3、CMOS管M4、CMOS管M5；所述P型差分对区130与所述N型差分对区110、所述分压电阻区120均连接，所述P型差分对区130和所述N型差分对区110组成反馈电路，所述P型差分对区130另一端连接电源VDC； 所述电容区140包括电容C0、C1，电容C0一端连接电压V02、另一端连接地线GND，电容C1一端连接VDC、另一端连接地线GND； 所述电流镜匹配区160包括进行电流镜匹配的CMOS管M10、CMOS管M11和电流镜匹配的CMOS管M8、CMOS管M9、CMOS管M13；所述电流镜匹配区160布局成2行、同衬底电位共衬底环；管M10、管M11与所述P型差分对区130相连，管M11漏端连接电压V01，管M8、管M9、管M13与所述N型差分对区110相连，管M8漏端连接IBN7，管M13漏端连接电压V02； 管M6的栅极输入带隙基准电压VREF，电阻R1、电阻R0之间输出电源采样电压VC，所述电流镜匹配区160比较电源采样电压VC和带隙基准电压VREF以进行UVLO的控制。

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