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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种具有应变调制量子阱的半导体发光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119092605B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410983602.7，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种具有应变调制量子阱的半导体发光元件是由邓和清;郑锦坚;张会康;黄军;曹军;蓝家彬;胡志勇;陈婉君;张江勇;李水清设计研发完成，并于2024-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有应变调制量子阱的半导体发光元件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有应变调制量子阱的半导体发光元件，从下至上依次包括衬底、n型半导体、有源层和p型半导体，所述有源层为应变调制量子阱；所述应变调制量子阱为阱层和垒层组成的周期结构，包括第一应变调制量子阱、第二应变调制量子阱和第三应变调制量子阱；所述第一应变调制量子阱的体积弹性模量的谷值位置往p型半导体方向的上升角度为β，所述第二应变调制量子阱的体积弹性模量的谷值位置往p型半导体方向的上升角度为γ。本发明抑制晶体场分裂能带，增强价带顶的重空穴带和轻空穴带比例，提升量子阱发光的TE模比例，抑制TM模比例，提升发光元件的光提取效率，改善热态下的光衰问题。

本发明授权一种具有应变调制量子阱的半导体发光元件在权利要求书中公布了：1.一种具有应变调制量子阱的半导体发光元件，从下至上依次包括衬底（100）、n型半导体（101）、有源层（102）和p型半导体（103），其特征在于，所述有源层（102）为应变调制量子阱；所述应变调制量子阱为阱层和垒层组成的周期结构，包括第一应变调制量子阱、第二应变调制量子阱和第三应变调制量子阱； 所述第一应变调制量子阱的体积弹性模量的谷值位置往p型半导体方向的上升角度为β，所述第二应变调制量子阱的体积弹性模量的谷值位置往p型半导体方向的上升角度为γ，所述第三应变调制量子阱的体积弹性模量的谷值位置往p型半导体方向的上升角度为θ，其中：30°≤β≤γ≤θ≤90°； 所述第一应变调制量子阱的分离能的谷值位置往p型半导体方向的上升角度为ψ，所述第二应变调制量子阱的分离能的谷值位置往p型半导体方向的上升角度为δ，所述第三应变调制量子阱的分离参的谷值位置往p型半导体方向的上升角度为ε，其中：10°≤ψ≤δ≤ε≤90°； 所述第一应变调制量子阱的形变势的谷值位置往p型半导体方向的上升角度为η，所述第二应变调制量子阱的形变势的谷值位置往p型半导体方向的上升角度为μ，所述第三应变调制量子阱的形变势的谷值位置往p型半导体方向的上升角度为ν，其中：10°≤η≤μ≤ν≤90°。

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