上海科思微半导体材料有限公司翟阳获国家专利权
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龙图腾网获悉上海科思微半导体材料有限公司申请的专利2-(((1H-苯并咪唑-1-基)甲基)亚磺酰基)苯并噻唑及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119060041B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411125973.8，技术领域涉及：C07D417/12；该发明授权2-(((1H-苯并咪唑-1-基)甲基)亚磺酰基)苯并噻唑及其制备方法和应用是由翟阳;张超;高飞峰;吴茂水;杨军;李晓强设计研发完成，并于2024-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本2-(((1H-苯并咪唑-1-基)甲基)亚磺酰基)苯并噻唑及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开一种2‑1H‑苯并咪唑‑1‑基甲基亚磺酰基苯并噻唑及其制备方法和应用，本发明通过一步氧化法制得2‑1H‑苯并咪唑‑1‑基甲基亚磺酰基苯并噻唑，生产过程更加简单、高效和易于操作，为2‑1H‑苯并咪唑‑1‑基甲基亚磺酰基苯并噻唑地大规模生产提供了坚实的基础。本发明的2‑1H‑苯并咪唑‑1‑基甲基亚磺酰基苯并噻唑能够在碱性环境下防止金属被腐蚀且试验液的pH值并不发生显著降低。且本发明的制备方法简单，无需任何后处理即可得到纯度高的2‑1H‑苯并咪唑‑1‑基甲基亚磺酰基苯并噻唑产物，因此在金属防腐领域展现出广阔的应用前景。
本发明授权2-(((1H-苯并咪唑-1-基)甲基)亚磺酰基)苯并噻唑及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种式I所示结构的化合物：
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