中微半导体设备(上海)股份有限公司陶珩获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种加热结构及半导体处理设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223321237U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422039917.4，技术领域涉及：H01L21/67；该实用新型一种加热结构及半导体处理设备是由陶珩;何伟业;陈冬;吴红星;许灿;姜勇;李雪子;刘雯伊设计研发完成，并于2024-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种加热结构及半导体处理设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种加热结构及半导体处理设备，加热结构应用于半导体处理设备中，半导体处理设备包括反应腔和基座组件，基座组件位于反应腔内，用于承载基片，加热结构包括：第一加热组件，其设置在反应腔内，且环绕基座组件设置；第二加热组件，其设置在反应腔内；第二加热组件为分散光源，且环绕基座组件设置；调节第二加热组件的竖直位置或者角度，以使第二加热组件的辐射区域在基片的边缘到中心之间变化。本实用新型提高了基片的加热均匀性和加热效率。
本实用新型一种加热结构及半导体处理设备在权利要求书中公布了：1.一种加热结构，其应用于半导体处理设备中，所述半导体处理设备包括反应腔和基座组件，所述基座组件位于所述反应腔内，用于承载基片，其特征在于，所述加热结构包括： 第一加热组件，其设置在所述反应腔内，且环绕所述基座组件设置； 第二加热组件，其设置在所述反应腔内；所述第二加热组件为分散光源，且环绕所述基座组件设置； 调节所述第二加热组件的竖直位置或者角度，以使所述第二加热组件的辐射区域在所述基片的边缘到中心之间变化。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中微半导体设备(上海)股份有限公司，其通讯地址为：201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励