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龙图腾网获悉淮安捷泰新能源科技有限公司申请的专利一种双层钝化接触结构的TOPCon太阳能电池的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118919604B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411161636.4，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种双层钝化接触结构的TOPCon太阳能电池的制备方法是由李凯阳;彭国印;何楚勇;武龙飞设计研发完成，并于2024-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双层钝化接触结构的TOPCon太阳能电池的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双层钝化接触结构的TOPCon太阳能电池的制备方法，属于TOPCon电池领域，在处理后的硅基底的背面先沉积第一隧穿氧化层和阻挡多晶硅层；随后在沉积后的阻挡多晶硅层上再次沉积第二隧穿氧化层和掺杂多晶硅层；再增加氧气流量，在背面形成二氧化硅膜掩蔽膜；后再进行背面磷扩散。本发明的有益效果是：通过上述工艺的改进可以大幅提升磷扩散的推进温度，提高晶化能力，并避免高温磷扩带来的内扩加大，保持不变维持良好的隧穿效应，维持了多晶硅层和隧穿层的接触钝化能力，最终使TOPCon电池的效率得到大幅度提升。

本发明授权一种双层钝化接触结构的TOPCon太阳能电池的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双层钝化接触结构的TOPCon太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤一，将硅基底依次进行清洗制绒，正面硼扩散和刻蚀碱抛处理； 步骤二，在处理后的硅基底的背面先沉积厚度为1~1.5nm的第一隧穿氧化层和厚度为20~40nm的阻挡多晶硅层； 步骤三，在沉积后的阻挡多晶硅层上再次沉积厚度为0.3~0.5nm的第二隧穿氧化层和厚度为100~130nm的掺杂多晶硅层； 步骤四，增加氧气流量，在背面形成二氧化硅膜掩蔽膜； 步骤五，采用POCl3进行背面磷扩散，先低温沉积，后分段推进，再次采用POCl3进行补源扩散，最后进行后氧化退火工艺； 步骤六，依次进行清洗，钝化处理、丝网印刷和高温烧结； 所述步骤五中，具体为采用POCl3进行背面磷扩散，流量为1500~1600sccm，先低温沉积，沉积温度为750~850℃，时间为900~1200s；后分段推进，先在温度为860~930℃进行升温推进，时间为10~20min，再在800~860℃进行降温推进，时间10~20min；随后采用POCl3进行再次补源扩散，流量为1500~1600sccm，沉积温度为830~860℃，时间为120~180s，最后进行氧化退火工艺，时间为1200~1500s，降温至720~750℃。

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