力特半导体(无锡)有限公司张锋获国家专利权
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龙图腾网获悉力特半导体(无锡)有限公司申请的专利用于高电流SIDACtor的封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223321264U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422077362.2，技术领域涉及：H01L23/495；该实用新型用于高电流SIDACtor的封装结构是由张锋;理查德·J·波诺;石磊设计研发完成，并于2024-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于高电流SIDACtor的封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了用于高电流SIDACtor的封装结构。一种表面安装装置、结构及其关联方法。该装置包括：外壳；至少部分由外壳封装的引线框架，引线框架包括具有芯片安装垫的芯片安装表面和设置在芯片安装表面上的一个或多个凹部；以及至少部分地由外壳封装的另一个引线框架，另一个引线框架耦合到具有一个或多个开口并耦合到半导体芯片的夹片。半导体芯片包括一个或多个凸起部，该凸起部从半导体芯片的顶面和底面中的至少一个延伸，并且能定位在以下至少一个中：一个或多个凹部和一个或多个开口。
本实用新型用于高电流SIDACtor的封装结构在权利要求书中公布了：1.一种用于高电流SIDACtor的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括： 外壳； 至少部分地由所述外壳包封的引线框架，所述引线框架包括具有芯片安装垫的芯片安装表面和设置在所述芯片安装表面上的一个或多个凹部；以及 至少部分地由所述外壳包封的另一个引线框架，所述另一个引线框架被耦合到具有一个或多个开口并且被耦合到半导体芯片的夹片； 其中，所述半导体芯片包括一个或多个凸起部，所述凸起部从所述半导体芯片的顶面和底面中的至少一个延伸并且能定位在以下至少一个中：所述一个或多个凹部和所述一个或多个开口。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人力特半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214142 江苏省无锡市新区硕放振发六路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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