武汉华星光电技术有限公司李壮获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利阵列基板以及显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119546083B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411846544.X，技术领域涉及：H10K59/121；该发明授权阵列基板以及显示面板是由李壮;熊文慧;艾飞;宋德伟设计研发完成，并于2024-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板以及显示面板在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种阵列基板以及显示面板，本申请实施例的阵列基板包括薄膜晶体管，薄膜晶体管的栅极绝缘层包括第一部和第二部，第一部覆盖边缘部，第二部覆盖主体部；薄膜晶体管为N型薄膜晶体管，第一部具有的正电荷的数量少于第二部具有的正电荷的数量；或者薄膜晶体管为P型薄膜晶体管，第一部具有的负电荷的数量少于第二部具有的负电荷的数量。本申请实施例设置栅极绝缘层的第一部的电荷量小于第二部的电荷量，当薄膜晶体管开启时由于第一部的电荷量较少，使得在相同的栅极电压下，使得具有边缘部的边缘薄膜晶体管和具有主体部的主体薄膜晶体管的阈值电压的差值消除，从而改善薄膜晶体管驼峰效应的效果。
本发明授权阵列基板以及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括： 基板；以及 薄膜晶体管，设置在所述基板上，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极绝缘层和栅极，所述有源层包括沟道，所述沟道包括主体部和边缘部，所述边缘部具有小于90度的坡度角，所述栅极绝缘层覆盖所述有源层远离所述基板的一侧，所述栅极绝缘层包括相连的第一部和第二部，所述第一部覆盖所述边缘部，所述第二部覆盖所述主体部； 所述栅极设置于所述栅极绝缘层远离所述基板的一侧，所述栅极和所述沟道对应设置； 在所述阵列基板的平面视图中，一所述边缘部位于所述主体部的一侧，所述主体部和所述边缘部的排列方向与所述栅极的延伸方向平行； 其中，所述薄膜晶体管为N型薄膜晶体管，所述第一部具有的正电荷的数量少于所述第二部具有的正电荷的数量；或者 所述薄膜晶体管为P型薄膜晶体管，所述第一部具有的负电荷的数量少于所述第二部具有的负电荷的数量。
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