武汉理工大学赵云良获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利一种用于制备二维通道薄膜的粘土矿物筛选方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119125200B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411233043.4,技术领域涉及:G01N23/20;该发明授权一种用于制备二维通道薄膜的粘土矿物筛选方法是由赵云良;陈立才;王雯博;张婷婷;张鑫设计研发完成,并于2024-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于制备二维通道薄膜的粘土矿物筛选方法在说明书摘要公布了:一种用于制备二维通道薄膜的粘土矿物筛选方法,涉及测试领域。用于制备二维通道薄膜的粘土矿物筛选方法通过将粘土矿物根据层电荷密度分成高层电荷密度矿物、中层电荷密度矿物和低层电荷密度矿物并分别进行超声波处理剥片得到纳米片,接着对粘土矿物的纳米片的尺寸和厚度进行筛选得到满足二维粘土薄膜尺寸的纳米片,最后将纳米片制备成薄膜进行薄膜平整度测试,选择可制备出具有高度有序二维通道薄膜的粘土材料。本申请提供的用于制备二维通道薄膜的粘土矿物筛选方法能够快速、高效地筛选出易剥片、易构筑成膜的粘土矿物,填补了二维粘土通道薄膜原料筛选方法的空白。
本发明授权一种用于制备二维通道薄膜的粘土矿物筛选方法在权利要求书中公布了:1.一种用于制备二维通道薄膜的粘土矿物筛选方法,其特征在于,包括以下步骤: 根据层电荷密度将粘土矿物分为高层电荷密度矿物、中层电荷密度矿物和低层电荷密度矿物; 将高层电荷密度粘土矿物、中层电荷密度矿物和低层电荷密度矿物分散至水中分别在t0-tn时间范围进行超声波剥片处理得到纳米片,检测各种所述纳米片的平均片径尺寸a和平均厚度b; 将各种所述纳米片的平均片径尺寸a和平均厚度b与目标纳米片的平均片径尺寸a0和平均厚度b0进行对比:若bb0,则所述纳米片对应黏土矿物不适合制备二维通道薄膜;若b≤b0,aa0,则在对应t0-tn时间范围内缩短超声波时间进行剥片后得到纳米片重新对比,若可以满足b≤b0,a≥a0,则纳米片满足尺寸要求;若无法满足b≤b0,a≥a0,所述纳米片对应黏土矿物不适合制备二维通道薄膜; 将满足尺寸要求的粘土矿物纳米片在水中分散均匀后得到铸膜液,然后抽滤制膜干燥得到待测薄膜; 测试所述待测薄膜的平整度c,将待测薄膜的平整度c与目标薄膜的平整度c0进行对比,若cc0,粘土矿物不适合制备二维通道薄膜;若c≥c0,粘土适合制备二维通道薄膜。
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