台湾积体电路制造股份有限公司董雨陇获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223322358U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422238873.8，技术领域涉及：H10D84/85；该实用新型半导体结构是由董雨陇;王小东;廖忠志设计研发完成，并于2024-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：半导体结构包括具有形成在交替的第一n型阱和第一p型阱上方的第一主动区的第一标准单元，第一主动区以及交替的第一n型阱和第一p型阱各自沿第一方向纵向延伸，每个第一标准单元包括第一n型阱和第一p型阱；以及与第一标准单元相邻的第二标准单元，第二标准单元具有形成在交替的第二n型阱和第二p型阱上方的第二主动区，第二主动区和交替的第二n型阱和第二p型阱各自沿第一方向纵向延伸，每个第二标准单元包括第二n型阱和第二p型阱。第一标准单元具有第一单元高度，第二标准单元具有第二单元高度，且第二单元高度大于第一单元高度。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，该半导体结构包括： 多个第一标准单元，具有形成在多个交替的第一n型阱和第一p型阱上方的多个第一主动区，该多个第一主动区以及该多个交替的第一n型阱和第一p型阱各自沿一第一方向纵向延伸，各该第一标准单元包括该第一n型阱和该第一p型阱；以及 多个第二标准单元，沿该第一方向与该多个第一标准单元相邻，该多个第二标准单元具有形成在多个交替的第二n型阱和第二p型阱上方的多个第二主动区，该多个第二主动区以及该多个交替的第二n型阱和第二p型阱各自沿该第一方向纵向延伸，各该第二标准单元包括该第二n型阱和该第二p型阱， 其中该多个第一标准单元具有沿垂直于该第一方向的一第二方向的一第一单元高度，该多个第二标准单元具有沿该第二方向的一第二单元高度，且该第二单元高度大于该第一单元高度， 其中该多个第二主动区沿该第二方向具有比该多个第一主动区更大的宽度。
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