珠海市龙图光罩科技有限公司雷健获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海市龙图光罩科技有限公司申请的专利掩模版清洗方法、装置、设备、存储介质及产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119187111B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411276187.8，技术领域涉及：B08B3/08；该发明授权掩模版清洗方法、装置、设备、存储介质及产品是由雷健;谢超;侯广杰;刘传龙设计研发完成，并于2024-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本掩模版清洗方法、装置、设备、存储介质及产品在说明书摘要公布了：本申请公开了一种掩模版清洗方法、装置、设备、存储介质及产品，涉及半导体制造技术领域，公开了掩模版清洗方法，包括：将待清洗掩模版浸泡在清洗液体中，以对所述待清洗掩模版的表面进行清洗；激活预设的可变电场与可变磁场，以控制所述清洗液体中的带电粒子脱离所述待清洗掩模版的表面，得到清洗完成的目标掩模版。本申请采用了在清洗液体清洗掩模版时施加可变电场与可变磁场，通过可变电场与可变磁场控制带电荷粒子脱离掩模版表面，实现减少清洗液体中带电荷粒子在掩模版上的留存，因此基于对清洗液体施加可变电磁场可以减少带电荷粒子留存在掩模版上，进而减少掩模版表面出现雾状缺陷的可能性，最终完成掩模版的清洗效果的显著提升。
本发明授权掩模版清洗方法、装置、设备、存储介质及产品在权利要求书中公布了：1.一种掩模版清洗方法，其特征在于，所述的方法包括： 将待清洗掩模版浸泡在清洗液体中，以对所述待清洗掩模版的表面进行清洗； 当接收到液体清洗开始信号时，激活预设的可变电场与可变磁场； 调整所述可变电场与所述可变磁场的变化频率，控制所述可变电场的负极与所述可变磁场的S极同侧，以控制所述清洗液体中的带电粒子脱离所述待清洗掩模版的表面； 所述调整所述可变电场与所述可变磁场的变化频率，控制所述可变电场的负极与所述可变磁场的S极同侧的步骤包括： 监测清洗液体中带电粒子的性质，根据监测结果调整可变电场和可变磁场的参数； 通过调整电极和磁极的方向和位置，确保带电粒子能够在电场和磁场的共同作用下有效移动并脱离掩模版表面； 当接收到液体清洗结束信号时，关闭所述可变电场与所述可变磁场，得到清洗完成的目标掩模版。
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