台湾积体电路制造股份有限公司张维仁获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利横向双极性结型晶体管及其电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223322356U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422277477.6，技术领域涉及：H10D10/60；该实用新型横向双极性结型晶体管及其电路是由张维仁;林柏洲;林宏翰;江宗士设计研发完成，并于2024-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本横向双极性结型晶体管及其电路在说明书摘要公布了：横向双极性结型晶体管及其电路，其中一种横向双极性结型晶体管BJT包括：半导体衬底、设置在所述半导体衬底上的绝缘体区以及设置在所述绝缘体区之上的包括第一导电类型的井半导体的井区。具有第二导电类型的射极区设置在所述井区中，且具有所述第二导电类型的至少一集极区设置在所述井区中。T形、Pi形或H形栅极以及栅极氧化物层包括在所述射极区与一或多个集极区之间延伸的栅极部分，而基极区设置在所述栅极部分的下方。在其他实施例中，基于金属氧化物半导体MOS晶体管的电路类似于采用紧凑的Pi形或H形栅极以及栅极氧化物层。
本实用新型横向双极性结型晶体管及其电路在权利要求书中公布了：1.一种横向双极性结型晶体管，包括： 半导体衬底； 绝缘体区设置在所述半导体衬底上； 包括第一导电类型的井半导体的井区设置在所述绝缘体区之上； 具有第二导电类型的射极区设置在所述井区中； 具有所述第二导电类型的第一集极区与具有所述第二导电类型的第二集极区设置在所述井区中； Pi形或H形栅极以及栅极氧化物层，所述Pi形或H形栅极包括在所述射极区与所述第一集极区之间延伸的第一栅极部分、平行于所述第一栅极部分且在所述射极区与所述第二集极区之间延伸的第二栅极部分以及横向于所述第一栅极部分与所述第二栅极部分并连接所述第一栅极部分与所述第二栅极部分的第一连接栅极部分；以及 第一基极区设置在所述第一栅极部分的下方，而第二基极区设置在所述第二栅极部分的下方。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励