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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于对称性破缺的MXene建立可重构场效应晶体管的方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119698159B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411334859.6，技术领域涉及：H10K10/46；该发明授权一种基于对称性破缺的MXene建立可重构场效应晶体管的方法及其应用是由王勇;吴亦章;杨定怡;王咏梅;张瑜;郝跃设计研发完成，并于2024-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于对称性破缺的MXene建立可重构场效应晶体管的方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于对称性破缺的MXene建立可重构场效应晶体管的方法及其应用，通过采用等离子刻蚀工艺氧化晶体管基底表面的MXene薄膜，使得MXene薄膜表面生成锐钛矿二氧化钛颗粒，得到具有对称性破缺的MXene基底，记为OXene层，然后将P3HT涂敷到OXene层上形成P‑N结，促使P型半导体中的电子定向转移到N型半导体上，提高了P型晶体管的电流开关比，且在60s的氧化处理后晶体管的开关比达到最大，并趋于稳定；本发明制备的晶体管能够应用到逆变器，与非门电路，以及或非门电路上。

本发明授权一种基于对称性破缺的MXene建立可重构场效应晶体管的方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种基于对称性破缺的MXene建立可重构场效应晶体管的方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1：采用化学气相输运工艺在单面抛光的硅衬底上沉积，得到厚度10～20μm的二甲苯CParyleneC基底；然后采用等离子蚀刻工艺对二甲苯CParyleneC基底进行表面功能化改性，去掉表面疏水基团，得到改性后的二甲苯C基底； 步骤2：将浓度为3.5～5mgml明胶Gelatin水溶液旋涂到步骤1得到的改性后的二甲苯CParyleneC基底上；然后将涂有明胶的二甲苯CParyleneC基底烘干；接着将浓度为5～20mgml的MXene水溶液旋涂到烘干后涂有明胶的二甲苯CParyleneC基底上，然后进行热固化，得到具有MXene薄膜的二甲苯C基底； 步骤3：使用近红外激光在步骤2中具有MXene薄膜的二甲苯C基底上进行图案化，刻画出具有逻辑电路的MXene薄膜，形成晶体管基底； 步骤4：采用等离子蚀刻工艺在步骤3中的晶体管基底上进行氧等离子蚀刻，使得MXene薄膜表面生成锐钛矿二氧化钛颗粒，得到具有对称性破缺的MXene基底，记为OXene层； 步骤5：将P型半导体溶液旋涂到步骤4得到的OXene层上，得到晶体管的P型半导体层；采用阴影掩模对晶体管的P型半导体层进行图案化；随后进行退火处理； 步骤6：将PVDF-HFP、EMI-TFSA和丙酮混合搅拌，得到晶体管的离子电介质溶液；按重量比计，所述PVDF-HFP：EMI-TFSA：丙酮＝1～2：3～4：4～7； 步骤7：将步骤6中得到晶体管的离子电介质溶液倒在干净的玻璃基板上，待其凝固后，得到厚度为200～400μm的离子凝胶； 步骤8：将步骤7得到的离子凝胶切成条状，作为电介质层被层压在步骤5得到的晶体管的P型半导体层上，最终得到基于对称性破缺的MXene建立的可重构场效应晶体管。

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