哈尔滨圣邦微电子有限公司初丹红获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨圣邦微电子有限公司申请的专利功率MOS管的芯片版图结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223322361U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422379548.3,技术领域涉及:H10D89/10;该实用新型功率MOS管的芯片版图结构是由初丹红;白玉芳;刘剑设计研发完成,并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率MOS管的芯片版图结构在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种功率MOS管的芯片版图结构,包括至少两组低压功率管阵列,每一组低压功率管阵列中包括沿第一方向排列的多排低压功率管;以及多排第一衬底选择管和第二衬底选择管;其中,至少一排第一衬底选择管和第二衬底选择管被设置于每一组低压功率管阵列的多排低压功率管之间,从而可以在提高低压功率管衬底参数的均匀性,降低芯片受浪涌信号影响被击穿的风险的同时,最大限度的节省芯片面积。
本实用新型功率MOS管的芯片版图结构在权利要求书中公布了:1.一种功率MOS管的芯片版图结构,其特征在于,包括: 至少两组低压功率管阵列,每一组低压功率管阵列中包括沿第一方向排列的多排低压功率管; 以及多排第一衬底选择管和第二衬底选择管; 其中,至少一排第一衬底选择管和第二衬底选择管被设置于每一组低压功率管阵列的多排低压功率管之间。
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