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龙图腾网获悉星钥半导体(武汉)有限公司申请的专利晶圆键合装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223321241U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422576178.2，技术领域涉及：H01L21/67；该实用新型晶圆键合装置是由王思维;方士伟;张学友设计研发完成，并于2024-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆键合装置在说明书摘要公布了：本申请提供了一种晶圆键合装置。晶圆键合装置包括键合腔室及位于键合腔室内的第一载盘、第二载盘和驱动组件。第一载盘包括第一吸附面，第二载盘包括第二吸附面。第一吸附面包括至少一个第一吸附区，第一吸附区设有至少一个第一吸附结构，第一吸附区为第一吸附区内的所有第一吸附结构所在的面积最小的圆形区域。第二吸附面包括至少一个第二吸附区，第二吸附区设有至少一个第二吸附结构，第二吸附区为第二吸附区内的所有第二吸附结构所在的面积最小的圆形区域。至少一个第二吸附区在第一吸附面上的正投影的边缘位于至少一个第一吸附区的边缘内侧。驱动组件用于驱动第一载盘和或第二载盘移动，以使第一载盘吸附的晶圆与第二载盘吸附的晶圆键合。

本实用新型晶圆键合装置在权利要求书中公布了：1.一种晶圆键合装置，其特征在于，所述晶圆键合装置包括键合腔室及位于所述键合腔室内的第一载盘、第二载盘和驱动组件；所述第一载盘包括第一吸附面，所述第二载盘包括与所述第一吸附面相对的第二吸附面； 所述第一吸附面包括至少一个第一吸附区，各所述第一吸附区用于吸附一个晶圆；所述第一吸附区设有至少一个第一吸附结构，所述第一吸附区为所述第一吸附区内的所有所述第一吸附结构所在的面积最小的圆形区域； 所述第二吸附面包括至少一个第二吸附区，各所述第二吸附区用于吸附一个晶圆；所述第二吸附区设有至少一个第二吸附结构，所述第二吸附区为所述第二吸附区内的所有所述第二吸附结构所在的面积最小的圆形区域； 至少一个第二吸附区在所述第一吸附面上的正投影的边缘位于至少一个所述第一吸附区的边缘内侧； 所述驱动组件用于驱动所述第一载盘和或所述第二载盘移动，使所述第一载盘与所述第二载盘靠近，以使所述第一载盘吸附的晶圆与所述第二载盘吸附的晶圆键合。

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