武汉真友科技有限公司黄立获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉真友科技有限公司申请的专利一种压力-温度双模传感器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119666058B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411674613.3，技术领域涉及：G01D21/02；该发明授权一种压力-温度双模传感器及其制备方法和应用是由黄立;刘建军;汪超;蒋文杰;毛添华;陈绪文;王春水设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种压力-温度双模传感器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种压力－温度双模传感器及其制备方法和应用，上述压力－温度双模传感器通过将压力传感层设计为呈矩形阵列分布的梯度倾斜磁柱阵列，梯度倾斜磁柱阵列由于磁性柱的长度、位置等呈现梯度变化以及倾斜的布局特点，会在空间中营造出特殊的磁场梯度，这种磁场梯度能够使得压力－温度双模传感器对不同大小的外界刺激产生线性或较为均匀变化的响应，能够拓宽压力测试的量程范围，有效地解决了其他微结构发生应力集中问题和大结构重叠现象导致的测不准和测量范围小的问题。同时，压力传感层与温度传感层采用分层测试，避免了温度信号和压力信号相互串扰的问题，进一步提高了压力－温度双模传感器的检测准确度和精度。
本发明授权一种压力-温度双模传感器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种压力－温度双模传感器，其特征在于，包括依次层叠设置的基底层、柔性微纳线圈组件、粘合层以及温度传感层，所述温度传感层远离所述基底层的一侧表面设置有压力传感层，所述压力传感层为呈矩形阵列分布的梯度倾斜磁柱阵列； 其中，所述梯度倾斜磁柱阵列沿第一方向间隔分布若干磁柱组，每一所述磁柱组沿第二方向包括若干间隔分布且呈不同长度的磁性柱，所述第二方向与第一方向垂直；每一所述磁柱组内的若干所述磁性柱的长度沿所述第二方向梯度递增或梯度递减。
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