买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉甬江实验室申请的专利压阻式传感器、压阻传感器结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119509586B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411978776.0，技术领域涉及：G01D5/16；该发明授权压阻式传感器、压阻传感器结构及其制作方法是由宓晓宇;吴晓昕设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本压阻式传感器、压阻传感器结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种压阻式传感器、压阻传感器结构及其制作方法，其能够通过调整两个压力模拟电极之间的电压差，可模拟该压阻传感器结构所受外界压力的大小，并通过调整该压阻传感器结构的驱动电压，从而可用于生成PUF技术所需的激励‑响应对，从而可在该压阻式传感器上实现PUF密钥技术。该压阻传感器结构，包括：第一衬底、设置于该第一衬底下方的第二衬底，该第二衬底的上表面设置有空腔，该空腔上方的该第一衬底区域形成有敏感薄膜；设置于该第一衬底的惠斯通电桥结构；该敏感薄膜朝向该空腔的表面上设置有第一压力模拟电极；该空腔底部的第二衬底表面上设置有第二压力模拟电极。

本发明授权压阻式传感器、压阻传感器结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种压阻式传感器，其特征在于，所述压阻式传感器可应用PUF密钥技术，包括：电源模块、处理器、通信模块、存储模块、接口模块，以及压阻传感器结构；所述电源模块用于为处理器、通信模块、存储模块、接口模块、和压阻传感器结构提供驱动电压和压力模拟电压；所述处理器与惠斯通电桥结构电连接，用于计算所述压阻传感器结构的电阻值，且用于控制所述电源模块的工作状态；所述压阻传感器结构包括第一衬底、设置于所述第一衬底下方的第二衬底，所述第二衬底的上表面设置有空腔，所述空腔上方的所述第一衬底区域形成有敏感薄膜；设置于所述第一衬底的惠斯通电桥结构；所述敏感薄膜朝向所述空腔的表面上设置有第一压力模拟电极；所述空腔底部的第二衬底表面上设置有第二压力模拟电极； 其中，所述压阻式传感器在测试状态下，所述电源模块与所述压阻传感器结构的驱动电压输入端、第一压力模拟电极和第二压力模拟电极电连接，用于调整所述第一压力模拟电极和第二压力模拟电极之间的电压差，模拟所述压阻传感器结构所受外界压力的大小，并通过调整所述压阻传感器结构的驱动电压，生成PUF技术所需的激励-响应对；所述压阻式传感器在工作状态下，所述电源模块与所述压阻传感器结构的第一压力模拟电极和第二压力模拟电极断开连接； 生成PUF技术所需的激励-响应对包括：将N组所述驱动电压作为激励，将各个驱动电压下的多个电阻压力系数K作为响应，生成PUF特征值；生成PUF技术所需的激励-响应对。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人甬江实验室，其通讯地址为：315200 浙江省宁波市镇海区骆驼街道慈海南路1792号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。