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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120390443B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510884393.5，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权一种半导体器件及其制作方法是由王文智;王仲盛设计研发完成，并于2025-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域。制作方法包括：提供一衬底，衬底上形成有栅极结构及两侧的侧墙结构，在栅极结构两侧的衬底内形成有轻掺杂区和重掺杂区；在衬底上形成覆盖衬底、栅极结构和侧墙结构的第一刻蚀停止层；通过刻蚀第一刻蚀停止层内形成开口，开口暴露部分重掺杂区和至少部分栅极结构；在开口内形成补偿外延层，补偿外延层覆盖部分重掺杂区；至少金属化处理补偿外延层，形成金属硅化物层；在衬底和金属硅化物层上形成层间介质层；刻蚀层间介质层至金属硅化物层，形成连接孔；在连接孔内形成阻挡层和导电结构。通过本发明提供的半导体器件及其制作方法，能够提升饱和电流，提高半导体器件的性能和良率。

本发明授权一种半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤： 提供一衬底，所述衬底上形成有栅极结构以及所述栅极结构两侧的侧墙结构，在所述栅极结构两侧的衬底内形成有轻掺杂区和重掺杂区； 在所述衬底上形成覆盖所述衬底、所述栅极结构和所述侧墙结构的第一刻蚀停止层； 通过刻蚀，在所述第一刻蚀停止层内形成开口，所述开口暴露部分所述重掺杂区和至少部分所述栅极结构； 在所述开口内形成补偿外延层，所述补偿外延层覆盖部分所述重掺杂区和至少部分所述栅极结构；去除所述第一刻蚀停止层； 至少金属化处理所述补偿外延层和部分所述衬底，形成金属硅化物层；所述重掺杂区上的所述金属硅化物层包括第一分部和第二分部，所述第一分部凸出形成在所述衬底上，所述第二分部由所述衬底的表面向所述衬底内延伸； 所述侧墙结构从靠近所述栅极结构的侧边起，包括层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，在形成所述金属硅化物层后，去除所述第四子层和所述第三子层，在所述第二分部的底部以及所述重掺杂区与所述第二子层之间的所述衬底内形补偿掺杂区； 在所述衬底和所述金属硅化物层上形成层间介质层； 刻蚀所述层间介质层至所述金属硅化物层，形成连接孔；以及 在所述连接孔内形成阻挡层和导电结构。

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