温州核芯智存科技有限公司王园春获国家专利权
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龙图腾网获悉温州核芯智存科技有限公司申请的专利一种铁电存储器电路及灵活控制铁电电容两端电压的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120412679B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510909245.4,技术领域涉及:G11C11/22;该发明授权一种铁电存储器电路及灵活控制铁电电容两端电压的方法是由王园春;方原;吕震宇设计研发完成,并于2025-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种铁电存储器电路及灵活控制铁电电容两端电压的方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种铁电存储器电路及灵活控制铁电电容两端电压的方法,包括若干板线、字线和位线,连接于板线的自升压控制电路,自升压控制电路用于在写“1”操作时,通过使至少一个未被选中的板线充电至高电平,以利用至少一个被选中字线打开导电沟道但相应板线未被选中的NMOS管的寄生电容将选中字线的电压抬升至大于或等于VwL+Vt,使位线电压VBL被完整传输至相应存储单元的电容极板。本方案通过使未被选中的板线充电至高电平利用电容的电压耦合作用将选中字线的电压抬升,使位线电压VBL被完整传输至相应存储单元的电容极板从而解决可能出现的写“1”电压不够的问题。
本发明授权一种铁电存储器电路及灵活控制铁电电容两端电压的方法在权利要求书中公布了:1.一种铁电存储器电路,包括若干板线、字线和位线,其特征在于,还包括连接于所述板线的自升压控制电路,所述的自升压控制电路用于在进行写“1”操作时,通过使至少一个未被选中的板线充电至高电平,以基于电压耦合作用利用至少一个被选中字线打开导电沟道但相应板线未被选中的NMOS管的寄生电容将选中字线的电压抬升至大于或等于VwL+Vt,使用于写“1”操作的位线电压VBL被完整传输至相应存储单元的电容极板; VwL表示高电平电源提供于字线的高电平电压;Vt表示存储单元的NMOS管阈值电压; 所述的自升压控制电路包括若干分别且一一连接于相应板线的升压控制子电路; 进行写“1”操作时, 被选中板线的升压控制子电路基于板线选中信号、写控制信号和字线升压信号向相应的板线输出写驱动信号; 未被选中板线的升压控制子电路基于板线未选中信号、写控制信号和字线升压信号向相应的板线输出板线高电平信号,以利用所述被选中字线打开导电沟道但相应板线未被选中的NMOS管的寄生电容抬升所述选中字线的电压; 所述的升压控制子电路包括一输入有写控制信号、板线选择信号和字线升压信号的逻辑门电路,所述逻辑门电路的输出连接至所述的板线; 所述的写控制信号包括写1控制信号和写0控制信号; 所述的板线选择信号包括所述板线选中信号、板线未选中信号; 所述的逻辑门电路包括第一非门、第二非门、第三非门、第一或门、第二或门、第一与非门和第二与非门; 写1控制信号、写0控制信号、板线选择信号分别连接于第一非门、第二非门、第三非门; 字线升压信号与第三非门输出连接至第一与非门输入; 第一与非门输出与第一非门第二非门输出连接至第一或门输入; 第三非门输出与第二非门第一非门输出连接至第二或门输入; 第二或门输出与第一或门输出连接至第二与非门输入; 第二与非门输出连接至所述的板线。
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