长鑫存储技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体器件结构的形成方法和焊盘结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111106086B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811260458.5，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权一种半导体器件结构的形成方法和焊盘结构是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2018-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件结构的形成方法和焊盘结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件结构的形成方法，包括：提供金属层；在所述金属层上形成保护层，在所述保护层形成开口以暴露出所述金属层的一部分，被暴露出的所述金属层部分作为焊盘；在所述保护层靠近所述开口的侧壁形成斜面，所述斜面延伸面与所述金属层所在平面具有第一夹角；其中，在形成所述开口的同时在所述保护层的开口区域周围形成若干孔洞，再通过热回流方法，使所述孔洞坍塌内缩，从而在所述开口的侧壁形成斜面；在所述开口中形成焊球并向外延伸出引线。本发明还提供一种焊盘结构。本发明通过在保护层靠近开口的侧壁形成斜面，可使引线平缓地越过保护层，从而降低引线的应力，进而提高产品的可靠性。
本发明授权一种半导体器件结构的形成方法和焊盘结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件结构的形成方法，包括： 提供金属层； 在所述金属层上形成保护层，在所述保护层形成开口以暴露出所述金属层的一部分，被暴露出的所述金属层部分作为焊盘，所述保护层包括钝化层和位于所述钝化层之上的隔离层；所述钝化层为硅的氧化物层和硅的氮化物层的组合，所述硅的氧化物层形成于所述金属层之上，所述硅的氮化物层形成于所述硅的氧化物层之上；所述隔离层为聚酰亚胺薄膜； 在所述保护层靠近所述开口的侧壁形成斜面，所述斜面延伸面与所述金属层所在平面具有第一夹角； 其中，在形成所述开口的同时在所述保护层的开口区域周围形成若干孔洞，所述孔洞的深度相同或从所述开口向两侧呈递减趋势，所述孔洞的深度不少于所述保护层厚度的12，再通过热回流方法，使所述孔洞坍塌内缩，从而在所述开口的侧壁形成斜面； 在所述焊盘上形成焊球并向外延伸出引线。
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