德克萨斯仪器股份有限公司S·普鲁索塔曼获国家专利权
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龙图腾网获悉德克萨斯仪器股份有限公司申请的专利增强抗扰性锁存的逻辑状态保留获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111384941B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911372722.9，技术领域涉及：H03K19/003；该发明授权增强抗扰性锁存的逻辑状态保留是由S·普鲁索塔曼;S·P·黛博纳;P·T·罗伊内;S·C·巴特林;K·B·钦塔马尼设计研发完成，并于2019-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本增强抗扰性锁存的逻辑状态保留在说明书摘要公布了：本申请公开了增强抗扰性锁存的逻辑状态保留。在描述的示例中，锁存器参见260包括用于锁存输入信息的电路参见220。电路可响应于第一模式的指示被预充电参见210，并且可将输入信息锁存至第二模式的指示参见210。锁存器可以可选地还响应于用于存储所锁存的输入信息的节点参见290、292来锁存输入信息。
本发明授权增强抗扰性锁存的逻辑状态保留在权利要求书中公布了：1.一种装置，包括： 第一锁存器，其用于提供输入数据； 耦合到所述第一锁存器的第二锁存器，其中所述第二锁存器包括用于响应于指示所述装置处于第一模式还是第二模式的保留信号来锁存所述输入数据的电路，所述电路包括： 第一晶体管，所述第一晶体管包括耦合到第一节点的输出，其中所述第一晶体管适于在所述第一模式期间将所述第一节点与第一功率轨耦合；以及 第二晶体管，所述第二晶体管包括耦合到第二节点的输出，其中所述第二晶体管适于在所述第一模式期间将所述第二节点与所述第一功率轨耦合，其中： 所述第一晶体管包括耦合到所述第二节点的栅极；以及 所述第二晶体管包括耦合到所述第一节点的栅极； 第一路径，所述第一路径包括串联耦合在所述第一节点和第二功率轨之间的第一组晶体管；以及 第二路径，所述第二路径包括串联耦合在所述第二节点和所述第二功率轨之间的第二组晶体管； 其中所述第一锁存器包括具有低于所述第二锁存器的所述第一晶体管和所述第二晶体管的第二阈值电压的第一阈值电压的晶体管。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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