恩智浦有限公司弗朗西斯科斯·皮特鲁斯·韦德索文获国家专利权
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龙图腾网获悉恩智浦有限公司申请的专利用于MRAM阵列的磁屏蔽结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111435704B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010024087.1，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权用于MRAM阵列的磁屏蔽结构是由弗朗西斯科斯·皮特鲁斯·韦德索文;安托尼斯·亨德里库斯·尤立夫·坎菲斯设计研发完成，并于2020-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于MRAM阵列的磁屏蔽结构在说明书摘要公布了：提供了一种封装半导体装置的实施例，所述封装半导体装置包括：半导体管芯，所述半导体管芯具有有源侧和相对的背侧，所述半导体管芯包括磁阻式随机存取存储器MRAM单元阵列，所述MRAM单元阵列形成于所述半导体管芯的所述有源侧上的MRAM区域内；以及顶盖，所述顶盖包括定位在所述半导体管芯的所述背侧上的软磁材料，其中所述顶盖包括形成于所述顶盖的第一主表面中的凹陷，所述第一主表面面对所述半导体管芯的所述背侧，并且所述凹陷定位在所述MRAM单元阵列上方。
本发明授权用于MRAM阵列的磁屏蔽结构在权利要求书中公布了：1.一种封装半导体装置，其特征在于，包括： 半导体管芯，所述半导体管芯具有有源侧和相对的背侧，所述半导体管芯包括磁阻式随机存取存储器MRAM单元阵列，所述MRAM单元阵列形成于所述半导体管芯的所述有源侧上的MRAM区域内；以及 顶盖，所述顶盖包括定位在所述半导体管芯的所述背侧上的软磁材料，其中 所述顶盖包括形成于所述顶盖的第一主表面中的凹陷， 所述第一主表面面对所述半导体管芯的所述背侧，并且 所述凹陷定位在所述MRAM单元阵列上； 所述半导体管芯另外包括有源电路，所述有源电路形成于所述有源侧上的电路区域内，所述有源电路侧向邻近于所述MRAM单元阵列， 所述半导体管芯的第一部分在所述电路区域中具有第一厚度； 所述半导体管芯的第二部分在所述MRAM区域中具有第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度，所述第二部分形成堆叠，所述堆叠被定位成竖直邻近于所述MRAM单元阵列，并且 所述凹陷的尺寸被设置成配合在所述堆叠上并且围绕所述堆叠。
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