东京毅力科创株式会社中泽贵士获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利基片处理方法和基片处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111799151B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010218557.8，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权基片处理方法和基片处理装置是由中泽贵士;筱原和义设计研发完成，并于2020-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本基片处理方法和基片处理装置在说明书摘要公布了：本发明提供基片处理方法和基片处理装置。本发明的基片处理方法包括保持步骤、事先加热步骤、释放步骤和移动步骤。保持步骤保持基片。事先加热步骤加热相反面的中央部，该相反面是基片的与被处理面相反一侧的面。释放步骤在事先加热步骤后，对被处理面的周缘部释放作为硫酸和过氧化氢的混合液的SPM。移动步骤在释放步骤后，使SPM的释放位置从被处理面的周缘部向中央部移动。本发明能够在使用SPM的基片处理中抑制偏差。
本发明授权基片处理方法和基片处理装置在权利要求书中公布了：1.一种基片处理方法，其特征在于，包括： 保持基片并使其旋转的保持步骤； 事先加热步骤，其通过对所述基片的相反面的中央部释放加热流体，被供给到所述基片的所述加热流体因伴随所述基片的旋转的离心力而在所述基片的所述相反面扩散，所述基片的温度上升，其中所述相反面是所述基片的与被处理面相反的一侧的面； 释放步骤，其在所述事先加热步骤后，在周缘部设想温度与由温度传感器获取到的所述被处理面的中央部的温度之差为40℃以下的状态下，对所述被处理面的周缘部释放作为硫酸和过氧化氢的混合液的SPM，其中，所述周缘部设想温度是作为所述基片的周缘部的温度通过事先的实验求取并存储于存储部的温度，所述基片的周缘部的温度是假设对所述被处理面的周缘部释放了所述SPM时所设想的温度；以及 移动步骤，其在所述释放步骤后，使所述SPM的释放位置从所述被处理面的周缘部向中央部移动。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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