上海华力集成电路制造有限公司王海涛获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种BJT器件结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113725291B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010446398.7，技术领域涉及：H10D10/60；该发明授权一种BJT器件结构及其制作方法是由王海涛;周晓君设计研发完成，并于2020-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种BJT器件结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种BJT器件结构及其制作方法，P阱；位于P阱上的N+区；位于N+区上的阻挡层结构，该阻挡层结构为环绕N+区外围的框型结构；阻挡层结构内的区域为BJT器件的发射区；发射区的所述N+区上设有多个相互间隔排布的STI区，P阱的上表面高于STI区的底部；位于发射区外围的基区；位于基区外围的集电区。本发明的BJT器件结构及其制作方法，具有以下有益效果：本发明的BJT器件结构由于发射区的STI区为不连续的结构，可以显著降低发射区和基区的复合电流。从而有效的提高BJT器件的放大系数。
本发明授权一种BJT器件结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种BJT器件结构，其特征在于，该结构至少包括： P阱；位于所述P阱上的N+区；位于所述N+区上的阻挡层结构，该阻挡层结构为环绕所述N+区外围的框型结构；所述阻挡层结构内的区域为所述BJT器件的发射区；所述发射区的所述N+区上设有多个相互间隔排布的STI区，所述P阱的上表面高于所述STI区的底部；所述多个相互间隔排布的STI区其横截面形状为多个相互间隔排布的条形结构，所述多个条形结构等间隔排布于所述阻挡层结构内； 位于所述发射区外围的基区； 位于所述基区外围的集电区。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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