意法半导体应用有限公司;意法半导体(图尔)公司M·罗维瑞获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体应用有限公司;意法半导体(图尔)公司申请的专利包括氮化镓功率晶体管的单片式组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112117271B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010561803.X，技术领域涉及：H10D84/00；该发明授权包括氮化镓功率晶体管的单片式组件是由M·罗维瑞;A·伊万;M·萨德纳;V·斯卡尔帕设计研发完成，并于2020-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括氮化镓功率晶体管的单片式组件在说明书摘要公布了：单片式组件包括场效应功率晶体管、以及在氮化镓衬底内部和顶部的至少一个第一肖特基二极管。
本发明授权包括氮化镓功率晶体管的单片式组件在权利要求书中公布了：1.一种电子组件，包括： 氮化镓衬底； 第一连接端子和第二连接端子，形成在所述氮化镓衬底上； 场效应功率晶体管，形成在所述氮化镓衬底上并且包括栅极、源极和漏极； 第一肖特基二极管，形成在所述氮化镓衬底上，并且被串联耦合在所述第一连接端子与所述场效应功率晶体管的所述栅极之间；以及 第二肖特基二极管，形成在所述氮化镓衬底上，并且被串联耦合在所述第二连接端子与所述场效应功率晶体管的所述栅极之间， 其中所述第二肖特基二极管经由所述第二连接端子耦合到第一电容器，并且 其中所述第一电容器，连接在所述第二连接端子和所述场效应功率晶体管的所述源极之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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