华邦电子股份有限公司许博砚获国家专利权
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龙图腾网获悉华邦电子股份有限公司申请的专利电阻式随机存取存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113889570B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010630340.8，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权电阻式随机存取存储器及其制造方法是由许博砚;蔡世宁;吴伯伦;郭泽绵设计研发完成，并于2020-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本电阻式随机存取存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种电阻式随机存取存储器及其制造方法。电阻式随机存取存储器包括堆叠结构以及位线结构。堆叠结构设置于衬底上。堆叠结构包括下部电极、上部电极以及可变电阻层。下部电极设置于衬底上。上部电极设置于下部电极上。可变电阻层设置于下部电极与上部电极之间。位线结构覆盖堆叠结构的顶面且覆盖至堆叠结构的侧壁的一部分。位线结构与堆叠结构电性连接。
本发明授权电阻式随机存取存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种电阻式随机存取存储器，其特征在于，包括： 堆叠结构，设置于衬底上，其中所述堆叠结构包括： 下部电极，设置于所述衬底上； 上部电极，设置于所述下部电极上；以及 可变电阻层，设置于所述下部电极与所述上部电极之间；以及绝缘层，围绕且不直接接触所述堆叠结构； 位线结构，覆盖所述堆叠结构的顶面且覆盖至所述堆叠结构的侧壁的一部分，其中所述位线结构与所述堆叠结构电性连接；以及 包覆层，设置于所述堆叠结构的所述侧壁与所述绝缘层的开口中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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