英飞凌科技奥地利有限公司T.法伊尔获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉英飞凌科技奥地利有限公司申请的专利半导体晶体管器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112186039B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010630300.3，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体晶体管器件及其制造方法是由T.法伊尔设计研发完成，并于2020-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体晶体管器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体晶体管器件（1），具有：源极区（2）；本体区（3），其包括竖直沟道区（3.1）；漏极区（4）；栅极区（6），其侧向位于沟道区（3.1）的旁边；通过掺杂形成的本体接触区（7）；扩散阻挡层（20.1）；以及由导电材料形成的导电区（8），其中本体接触区（7）电接触本体区（3），扩散阻挡层（20.1）布置在其之间，并且其中本体接触区（7）的掺杂与本体区（3）的掺杂相比具有相同的导电类型但是具有更高的浓度，并且其中导电区（8）具有接触区（8.1），其形成与本体接触区（7）的电接触，导电区（8）的接触区（8.1）竖直布置在沟道区（3.1）的上端（25.1）上方。
本发明授权半导体晶体管器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体晶体管器件，具有： 源极区， 包括竖直沟道区的本体区， 漏极区， 栅极区，侧向地在所述沟道区的旁边， 通过掺杂而形成的本体接触区， 扩散阻挡层，以及 由导电材料形成的导电区， 其中，所述本体接触区电接触所述本体区，所述扩散阻挡层被布置在它们之间， 并且其中，所述本体接触区的掺杂与所述本体区的掺杂相比具有相同的导电类型但具有更高的浓度， 并且其中，所述导电区具有接触区，其形成朝向所述本体接触区的电接触，所述导电区的所述接触区被竖直地布置在所述沟道区的上端上方， 其中，所述扩散阻挡层包括Si和氧掺杂Si的交替子层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英飞凌科技奥地利有限公司，其通讯地址为：奥地利菲拉赫西门子大街2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号