株式会社日立高新技术永泽充获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社日立高新技术申请的专利等离子处理装置以及等离子处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114521287B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080020834.2，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权等离子处理装置以及等离子处理方法是由永泽充;江藤宗一郎;臼井建人;中元茂设计研发完成，并于2020-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子处理装置以及等离子处理方法在说明书摘要公布了：为了提供以高精度检测处理对象的膜的蚀刻量并提高处理的成品率的等离子处理装置或者等离子处理方法，具备如下工序：使用在从形成等离子起到蚀刻结束为止的多个时刻检测出表示在晶片表面反射而形成的多个波长的干涉光的强度的信号的结果，来检测所述处理对象的膜层的厚度或者蚀刻的深度，使用在该工序的刚形成所述等离子之后的初始的期间中得到的多个波长的干涉光的强度的变化的量，来检测所述处理对象的膜层的蚀刻处理开始的时刻，根据比较表示该开始的时刻以后的所述处理中的任意时刻的所述多个波长的干涉光的强度的实际数据和预先得到的与多个所述膜厚或者蚀刻深度的值对应的所述多个波长的干涉光的强度的检测用的多个数据的结果，来检测所述任意时刻的剩余膜厚或者蚀刻量。
本发明授权等离子处理装置以及等离子处理方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子处理方法，在真空容器内部的处理室内配置处理对象的晶片，在所述处理室内形成等离子来对预先形成于所述晶片的表面的膜进行蚀刻，其特征在于，具有如下工序： 在载置于所述处理室内的所述晶片的上方，在从形成所述等离子起到所述蚀刻结束为止的多个时刻接受在所述晶片的表面反射的干涉光，并生成表示所述干涉光的强度的信号； 基于所生成的所述信号来决定所述晶片中的蚀刻开始时刻；以及 基于所决定的所述蚀刻开始时刻之后的所述处理中的多个时刻的表示所述干涉光的强度的信号来判定所述晶片的表面的所述膜的蚀刻的终点的到达， 表示所述干涉光的强度的信号包括光谱的波形，分别计算所述多个时刻中的两个时刻的所述光谱的波形之差，将所述差的和成为给定的阈值以上的时刻决定为所述蚀刻开始时刻。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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