中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司苏博获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115997275B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080103614.6，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由苏博;吴汉洙;郑春生;郑二虎;张海洋设计研发完成，并于2020-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上形成有栅极结构，栅极结构侧壁形成有伪侧墙，伪侧墙侧壁形成有接触孔刻蚀停止层，栅极结构两侧基底内形成有源漏掺杂区；在源漏掺杂区和栅极结构的顶部上方形成牺牲介质层；形成源漏插塞，贯穿源漏掺杂区顶部上方的牺牲介质层并与源漏掺杂区相接触；刻蚀牺牲介质层直至露出伪侧墙的顶部；露出伪侧墙的顶部后，去除伪侧墙，在接触孔刻蚀停止层和栅极结构的侧壁之间形成间隙；形成填充于源漏插塞之间的顶部介质层，顶部介质层还填充于间隙中，或者，顶部介质层密封间隙的顶部，顶部介质层的材料介电常数小于伪侧墙的材料介电常数。本发明能够降低栅极结构和源漏插塞之间的有效电容。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 栅极结构，位于所述基底上； 源漏掺杂区，位于所述栅极结构两侧的基底内； 源漏插塞，位于所述源漏掺杂区的顶部，且与所述源漏掺杂区相接触； 接触孔刻蚀停止层，位于所述源漏掺杂区和栅极结构之间的基底上且与所述栅极结构的侧壁相对设置，所述接触孔刻蚀停止层的顶部低于所述源漏插塞的顶部，所述接触孔刻蚀停止层的侧壁和栅极结构的侧壁之间具有间隙； 顶部介质层，填充于所述源漏插塞之间，所述顶部介质层还填充于所述间隙中，位于所述间隙中的所述顶部介质层作为侧墙，或者，所述顶部介质层密封所述间隙的顶部，围成空气隙，所述顶部介质层的材料为低k介电材料或超低k介电材料。
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