中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司苏博获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115989577B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080103574.5，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及其形成方法是由苏博;吴汉洙设计研发完成，并于2020-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底、栅极结构、位于栅极结构两侧基底中的源漏掺杂区以及位于栅极结构侧部基底上的底部介质层；形成贯穿源漏掺杂区顶部的底部介质层的源漏互连层；在底部介质层上形成顶部介质层；形成贯穿栅极结构顶部的顶部介质层的栅极接触孔和贯穿源漏互连层顶部的顶部介质层的源漏接触孔；在栅极接触孔和源漏接触孔的侧壁形成牺牲侧壁层；形成填充栅极接触孔的栅极插塞以及填充源漏接触孔的源漏插塞；去除牺牲侧壁层形成第一间隙；形成密封第一间隙的密封层，使位于源漏插塞侧壁和位于栅极插塞侧壁的第一间隙中的至少一个与密封层围成第一空气隙。本发明实施例有利于降低栅极插塞与源漏插塞之间的寄生电容。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 栅极结构，位于所述基底上； 源漏掺杂区，位于所述栅极结构两侧的基底中； 源漏互连层，位于所述源漏掺杂区的顶部上且与所述源漏掺杂区相接触； 栅极插塞，位于所述栅极结构的顶部上且与所述栅极结构相接触； 源漏插塞，位于所述源漏互连层的顶部上且与所述源漏互连层相接触； 介质层，覆盖所述栅极插塞和源漏插塞的侧壁，并填充于所述栅极插塞与源漏插塞之间； 第一间隙，位于所述源漏插塞的侧壁与所述介质层之间，所述第一间隙暴露出源漏插塞的侧壁； 密封层，位于所述介质层上且从第一间隙顶部密封所述第一间隙，位于所述源漏插塞侧壁的第一间隙与所述密封层围成第一空气隙，且所述第一空气隙位于所述源漏互连层的上方。
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